סמסונג (Samsung), ענקית המוליכים למחצה הדרום קוריאנית, הכריזה כי היא מפתחת את שבבי ה-DDR5 הראשונים בעולם בנפח של 32Gb.
שבבי הזיכרון החדשים מגיעים בייצור החברה ברמת 12nm ומציעים צריכה חשמלית נמוכה ב-10% במודולי 128GB DRAM ואפשרות ליצירת מודולי זיכרון בנפח של עד 1TB, במיוחד לפתרונות הזקוקים לנפחי זיכרון גדולים ומהירים דוגמת תחום הבינה המלאכותית.
אחרי שהציגה בסוף 2022 את זיכרונות ה-DDR5 הראשונים בייצור 12nm והחלה בייצור המוני של זכרונות DDR5 בנפח 16Gb, עם הכפלת נפח השבבים ל-32Gb, סמסונג תוכל למעשה לייצר מודולי DDR5 שיגיעו בנפח של עד 1TB בעתיד.
בעוד שסמסונג לא פרסמה את נתוני הביצועים של שבב ה-DDR5 החדש שלה, המהירות צפויה לעמוד על עד 7.2Gbps (גיגה-ביט בשנייה), בדומה לגרסת ה-16Gb.
היתרון הגדול ביותר של השבב החדש מגיע בדמות היכולת לוותר על טכנולוגיית ה-TSV (ר”ת Through Silicon Via) ביצירת מודולי זיכרון בנפח של 128GB, צעד המביא איתו חיסכון של 10% בצריכה החשמלית.
סמסונג צפויה לעבור לייצור המוני של שבבי ה-DDR5 החדשים בנפח 32Gb עד סוף השנה הנוכחית.
“ברמת 12nm”?
אחד המושגים היותר מבלבלים בתחום ייצור השבבים נוגע לחוסר האחידות בהגדרת תהליך הייצור עצמו.
כאשר חברות מדברות על ייצור בגודל 10nm מדובר בצורה פשוטה על טכנולוגיית ייצור ברמה של 10nm, אך כאשר חברות מדברות על “ייצור ברמת 10nm”, מדובר בפועל על ייצור בטווח של 10nm~19nm.
בנוסף, חלק מיצרני שבבי הזיכרון משתמשים בשמות יחודיים לתעשייה כמו 1X, 1Z או 1α לסימון טווח טכנולוגיית הייצור, כאשר 1α במקרה של חברת מיקרון מדבר על 14nm, מה שהופך את ייצור ה-12nm החדש של סמסונג למתקדם יותר, על אף שהמספר המייצג את טכנולוגיית הייצור נשמע “גבוה” על פי המונחים להם הורגלנו מתחום השבבים לטלפונים.
