סמסונג (Samsung), ענקית המוליכים למחצה הדרום קוריאנית, הכריזה על מעבר לייצור המוני של דור שבבי ה-DDR5 הבא של החברה ברמת 12nm.
הזכרונות מציעים מהירות העברת נתונים גבוהה של עד 7.2Gbps (גיגה-ביט בשנייה) תוך כדי שמירה על צריכה חשמלית הנמוכה יותר בעד 23% לעומת הדור הקודם, כאשר הם מיועדים לשרתים, פתרונות בינה מלאכותית, מחשבים אישיים ועוד.
זכרונות DDR5 בייצור 12nm
סמסונג הציגה את שבבי ה-DDR5 בייצור 12nm בסוף 2022, כאשר עכשיו החברה עוברת לייצור המוני של השבבים החדשים הצפויים לשדרג את ביצועי זכרונות ה-DDR5 בשוק.
הזכרונות נמצאים במגוון פתרונות מחשוב, בהם שרתים ומחשבים אישיים, כאשר סמסונג ביצעה אימות לשבבי ה-DDR5 16Gb מול AMD לתאימות טובה יותר עם מעבדי החברה.
שבבי ה-DDR5 החדשים של סמסונג מציעים מהירות העברת נתונים של עד 7.2Gbps, מהירות המאפשרת העברת שני סרטי 4K בגודל 30GB תוך פחות מדקה.
הם מציעים צריכה חשמלית נמוכה יותר בעד 23% לעומת דור זכרונות ה-DDR5 הקודם של החברה, יחד עם שיפור של עד 20% בייצור הווייפרים (Wafers) של שבבי ה-DRAM החדשים.
“ברמת 12nm”?
בעוד שרובנו רגילים לשמוע את המושגים “ייצור 10nm” או “ייצור 5nm” בתחום המעבדים ומערכות השבבים בסלולר, תחום זכרונות ה-DRAM מעט שונה ומשתמש במושגים אחרים לציון טכנולוגיית ייצור, כאשר לרוב חברות מדברות על “ייצור ברמת 10nm”, מה שבפועל מדבר על ייצור בטווח של 10nm~19nm.
יצרני השבבים משתמשים בסימונים יעודיים וייחודיים לתעשיה כמו 1X, 1Z או 1α לסימון טווח טכנולוגיית הייצור, כאשר 1α במקרה של חברת מיקרון מדבר על 14nm, מה שהופך את ייצור ה-12nm החדש של סמסונג למתקדם יותר על אף שהמספר המייצג את טכנולוגיית הייצור נשמע “גבוה” על פי המונחים להם הורגלנו מתחום השבבים לטלפונים.
