ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה על פיתוח שבב זיכרון DDR5 חדש שיגיע לראשונה בתעשייה בייצור “ברמת 12nm” עם שילוב טכנולוגיית ייצור ה-EUV (ר”ת extreme ultraviolet).
שבב הזיכרון החדש יציע מהירות העברת נתונים של עד 7.2Gbps, תוך כדי שהוא עבר לפי החברה התאמה לשימוש עם פלטפורמת ה-Zen של AMD. זכרונות ה-DDR5 החדשים של סמסונג מגיעים בייצור 12nm EUV משודרג ומחליפים את זיכרון ה-DDR5 בייצור 14nm אותו הציגה החברה לפני כשנה.
שבב הזיכרון החדש משלב חומר דיאלקטרי בעל ערך K גבוה (High-K material) לבידוד משופר של השבב ומניעת “זליגה” בשער הזיכרון ולפי סמסונג מציע עיצוב המשפר בעד 20% את תפוקת הייצור. השבב עצמו מגיע בנפח של 16Gb ומציע מהירות העברת נתונים של עד 7.2Gbps.
בעוד שרובנו רגילים לשמוע את המושגים “ייצור 10nm” או “ייצור 5nm” בתחום המעבדים ומערכות השבבים בסלולר, תחום זכרונות ה-DRAM מעט שונה ומשתמש במושגים אחרים לציון טכנולוגיית ייצור, כאשר לרוב חברות מדברות על “ייצור ברמת 10nm”, מה שבפועל מדבר על ייצור בטווח של 10nm~19nm.
יצרני השבבים משתמשים בסימונים יעודיים וייחודיים לתעשיה כמו 1X, 1Z או 1α לסימון טווח טכנולוגיית הייצור, כאשר 1α במקרה של חברת מיקרון מדבר על 14nm, מה שהופך את ייצור ה-12nm החדש של סמסונג למתקדם יותר על אף כי המספר המייצג את טכנולוגיית הייצור נשמע “גבוה” על פי המונחים להם הורגלנו מתחום השבבים לטלפונים.
סמסונג צפויה להעביר את שבבי ה-DDR5 בייצור ה-12nm ליצור המוני בתחילת 2023.
