ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון GDDR7 חדשים בנפח 24Gb, לראשונה בתעשיה. שבבי זיכרון ה-GDDR החדשים מציעים מהירות העברת מידע גבוהה יותר של עד 40Gbps ויעילות חשמלית משופרת של מעל 30% עם שימוש בטכנולוגיית ה-Dual VVD.
אחרי שהכריזה ב-2023 על הדור הראשון של שבבי ה-GDDR7, סמסונג מציגה כעת את דור ההמשך, אשר עושה שימוש בייצור ברמת 10nm מהדור החמישי, המאפשר להגדיל את צפיפות הזיכרון ב-50% עם שמירה על גודל שבב זהה.
השבבים החדשים מגיעים בנפח גבוה יותר של 24Gb, בהשוואה ל-16Gb בדור הקודם, כאשר השינוי הגדול ביותר מלבד הנפח הוא שיפור מהירות ניכר של 25%, מ-32Gbps ל-40Gbps, עם צפי להצגת גרסת 42.5Gbps בשלב מאוחר יותר.
שיפור המהירות מתאפשר על ידי שימוש בטכנולוגיית ה-PAM3 (ר”ת Pulse Amplitude Modulation), המעבירה 50% יותר מידע לעומת טכנולוגיית ה-NRZ (ר”ת Non Return to Zero) שהייתה בשימוש בדורות הקודמים.
שבבי ה-GDDR7 החדשים צפויים לעבור ולידציה במהלך השנה הנוכחית עם צפי לייצור המוני בתחילת 2025.
