ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון GDDR7 חדשים, לראשונה בתעשיה. מדובר בשבבי זיכרון GDDR מהירים במיוחד בנפח של 16Gb עם מהירות העברת מידע של 32Gbps, שיפור של 40% לעומת טכנולוגיית ה-GDDR6 הקודמת של החברה, לצד יעילות חשמלית טובה יותר ב-20%.
שבבי זיכרון GDDR נמצאים כיום בשימוש בכרטיסי מסך, מאיצים גרפיים, פתרונות בינה מלאכותית, שרתי HPC (ר”ת high-performance computing) וישומים רבים אחרים הזקוקים לזיכרון מהיר במיוחד, כאשר שבב ה-GDDR7 מיועד להחליף את ה-GDDR6 24Gbps הקודם של החברה.
שבבי הזיכרון החדשים יעילים חשמלית ב-20% לעומת הדור הקודם, כאשר הם מציעים רוחב פס גבוה במיוחד של 1.5TBps, לעומת 1.1TBps ב-GDDR6 מהדור הקודם, עם קצב העברת מידע של 32GBps, שיפור המתאפשר באמצעות שימוש טכנולוגיית ה-PAM3 (ר”ת Pulse Amplitude Modulation) המעבירה 50% יותר מידע לעומת טכנולוגיית ה-NRZ (ר”ת Non Return to Zero) שהייתה בשימוש בדורות הקודמים.
מאחר שמדובר על גמר פיתוח של שבבי ה-GDDR7 בלבד בשלב זה, אין כרגע צפי זמינות נוכחי לטכנולוגיית הזיכרון החדשה של סמסונג, דבר שנזכה לדעת בעדכונים עתידיים של החברה.
