בשנים האחרונות נוצר בין חטיבת השבבים של סמסונג לבין ענקית השבבים האמריקאית, קוואלקום, שיתוף פעולה נרחב במסגרתו יוצרו שבביה של האחרונה במפעליה של היצרנית הקוריאנית, כאשר בין אילו זכינו לראות את שבבי ה-Snapdragon 820, Snapdragon 821 וכן את פלטפורמת הדגל האחרונה Snapdragon 835. ואילו כעת, נראה כי ענקית השבבים האמריקאית מחליטה להשאיר את שיתוף הפעולה בין השתיים מאחור ותייצר את פלטפורמות העיבוד העתידיות שלה בין כותלי מפעליה של חברת הטכנולוגיה ויצרנית השבבים הטיוואנית, TSMC, זאת על פי דיווח חדש של המגזין הקוריאני ET News.
על פי פרטי הדיווח, קוואלקום תחבור ל-TSMC על מנת לבצע שימוש עתידי בתהליך ייצור חדשני מסוג FinFET בגודל 7nm שנמצא בימים אלו בשלבי פיתוח מתקדמים על ידי היצרנית הטיוואנית. למעשה, נמסר בדיווח כי קוואלקום מעצבת ומפתחת החל מתחילת המחצית השניה של 2017 את פלטפורמות העיבוד הבאות לסדרת Snapdragon שיבצעו שימוש בתהליך ה-7nm, זאת באמצעות כלים שסיפקה TSMC.
נכון לרגעים אלו, נמסר, מצפה קוואלקום להתחיל בייצורם המסחרי של השבבים כבר בסוף השנה ועד לתחילת 2018, כך שייתכן מאוד כי מערכת השבבים Snapdragon 845, הצפויה להוות לספינת הדגל של החברה בשנה הבאה, תגיע בייצור בגודל 7nm. בהערכה זו תומך דיווח שפורסם מוקדם יותר השנה והציג תמונה זהה.
במקרה שהדברים שעולים מדיווח זה יתבררו כנכונים וה-Snapdragon 845 תיוצר על ידי TSMC, עשויה סמסונג לספוג מכה מ-2 חזיתות שונות. ראשית, אם חטיבת השבבים של זו אכן תאבד את הסכמי ייצור השבבים של קוואלקום, יהווה הדבר פגיעה משמעותית בהכנסותיה של החטיבה, שכן קוואלקום מהווה לאחת מלקוחותיה הגדולות ביותר.
נוסף על כך, ייתכן כי סמסונג לא תוכל לשמור על היצע שבבי ה-Snapdragon 845 כבלעדיים עבור מכשירי הסמארטפון שלה באופן ראשוני כפי שביצעה עם ה-Snapdragon 835, מה שמנע מ-LG להציג את ה-G6 בשילוב עם שבב זה. בהתאם לכך, תוכל LG לשלב בספינת הדגל שלה לשנת 2018, ה-LG G7, את פלטפורמת העיבוד העוצמתית ביותר של קוואלקום במועד הכרזת המכשיר, היא כמובן תהא ה-Snapdragon 845. כך העיד גם דיווח שפורסם מוקדם יותר השנה.
