⭐ נקודות עיקריות
- תהליך Intel 18A-P מהווה את השדרוג הראשון למשפחת תהליכי הייצור המתקדמים Intel 18A של החברה.
- לדברי החברה, התהליך המשופר מציע עד 18% חיסכון בצריכת החשמל או עד 9% שיפור בביצועים.
- אינטל פאונדרי הציגה במקביל מחקרים עתידיים הכוללים טרנזיסטורים אנכיים ושימוש בחומרים מתקדמים.
- החברה אישרה כי תהליך הייצור המשופר נכנס לשלב ייצור ראשוני כמתוכנן.
אינטל פאונדרי (Intel Foundry), חטיבת ייצור השבבים של אינטל (Intel), הכריזה על כניסתו של תהליך ייצור ה-Intel 18A-P לשלב ייצור ראשוני במסגרת כנס VLSI Symposium 2026.
מדובר בשדרוג המשמעותי הראשון למשפחת תהליכי הייצור המרכזית Intel 18A, שעליה מבססת חטיבת הייצור את פעילותה העסקית והטכנולוגית בשנים הקרובות.
ה-Intel 18A-P הוא טכנולוגיית ייצור שבבים משופרת המיועדת להעניק ללקוחות גמישות רבה יותר בתכנון רכיבי סיליקון, תוך התמקדות באיזון בין מהירות לצריכת אנרגיה.
פיתוח זה חיוני עבור שוק המחשוב המתקדם, שכן הוא מאפשר להתמודד עם עומסי עבודה כבדים של בינה מלאכותית, מרכזי נתונים ומחשוב עתיר ביצועים (HPC) מבלי לחרוג ממגבלות חום והספק.
הכירו את ה-Intel 18A-P
ההכרזה על כניסתו של התהליך לשלב הייצור הראשוני (Risk Production) מעידה על התקדמותה של אינטל בהתאם ללוחות הזמנים המקוריים של החברה.
הגרסה המשופרת נועדה לספק פתרונות מותאמים עבור יצרני שבבים הזקוקים לביצועים גבוהים יותר או לחילופין לחיסכון אנרגטי באותה רמת ביצועים של הדור הקודם.
לפי נתוני החברה, תהליך הייצור החדש מציע עד 18% חיסכון בצריכת החשמל באותה רמת ביצועים, או לחילופין שיפור של עד 9% בביצועים תחת אותה צריכת חשמל. השיפורים הללו מלווים באופטימיזציה משולבת של תכנון הטרנזיסטורים, החיבורים הפנימיים ותהליכי הייצור.
ארכיטקטורה וטכנולוגיה
השיפורים הטכנולוגיים ב-Intel 18A-P הושגו באמצעות שילוב של מספר פיתוחים הנדסיים. החידוש הראשון נוגע למגע כפול עם התנגדות חשמלית נמוכה (Power Boost), המאפשר להגביר את תדר הפעולה של השבב על ידי יצירת נתיב הולכה יעיל ומהיר יותר המפחית את ההתנגדות.
בנוסף, אינטל שילבה טכנולוגיית אספקת כוח אחורית (Backside Power Delivery) יחד עם ארכיטקטורת טרנזיסטורים מסוג RibbonFET (בתצורת GAA). העברת החשמל דרך צדו האחורי של השבב מפרידה בין נתיבי הכוח לנתיבי העברת המידע בצד הקדמי, מה שמפחית את העומס הדינמי ומייצב את פעולת הרכיב.
פיתוחים נוספים
מעבר להצגת Intel 18A-P, אינטל פאונדרי חשפה כיווני מחקר לעשור הקרוב המציגים פתרונות למזעור עתידי של שבבים. החברה הדגימה לראשונה טרנזיסטורים אנכיים מסוג CFET (ר”ת Complementary FET) במרחק בין שערים של 45nm, שבהם טרנזיסטורי N ו-P מוערמים זה על זה כדי לחסוך מקום ולהגדיל את צפיפות הרכיבים על הסיליקון.
מחקר נוסף שהוצג נוגע לאינטגרציה של גליום ניטריד על סיליקון (GaN on Silicon) על גבי פרוסות בקוטר 300mm. טכנולוגיה זו מאפשרת לשלב חומרים המתאימים להספקים ותדרים גבוהים בתוך תשתיות ייצור קיימות של סיליקון, ובכך לפתוח אפשרויות חדשות לשילוב רכיבי הספק מתקדמים.
לבסוף, אינטל בוחנת את החלפת חיבורי הנחושת הפנימיים בשבב ברותניום (Ruthenium). על פי נתוני החברה, השימוש ברותניום מציג הפחתה של 35% בקיבוליות בהשוואה לנחושת, מה שמסייע בצמצום הפרעות הדדיות, שיפור מהירות העבודה והורדת צריכת האנרגיה הכללית.
לוחות זמנים
כניסתו של תהליך ה-Intel 18A-P לשלב הייצור הראשוני מתבצעת על פי לוח הזמנים המתוכנן של החברה, עם צפי לייצור המוני במהלך 2027.
טכנולוגיות המחקר הנוספות שהוצגו בכנס, כמו ארכיטקטורת ה-CFET והשימוש ברותניום, נמצאות בשלבי פיתוח ומסמנות את מפת הדרכים הטכנולוגית של תעשיית המוליכים למחצה לשנים הבאות, מעבר לדור הייצור הנוכחי.
