אינטל פאונדרי (Intel Foundry), חטיבת ייצור השבבים של אינטל (Intel), הכריזה במהלך אירוע ה-Intel Foundry Direct Connect 2025 שהתקיים מוקדם יותר השבוע על ייצור ראשוני מוצלח של פרוסת סיליקון בטכנולוגיית ה-Intel 18A מעידן אנגסטרום (Å, עשירית הננו-מטר, כלומר 0.1 ננומטר).
לצד זאת, הציגה החברה פרטים חדשים על Intel 14A, הדור הבא של טכנולוגיית הייצור שלה, שישתמש בליתוגרפיית High-NA EUV מתקדמת ועוד.
Intel 18A – פריצת דרך בטכנולוגיית ייצור השבבים
אינטל מכינה את הקרקע למעבר לייצור בטכנולוגיית ה-Intel 18A כבר במהלך השנה הנוכחית עם השלמת ה-“Run the Lot”, ייצור ראשוני מוצלח של פרוסת סיליקון בייצור ה-Intel 18A במפעל ה-FAB 52 של אינטל באריזונה, ארה”ב.
מדובר בטכנולוגיית הייצור המתקדמת החדשה של החברה, שנועדה לאפשר לה להתחרות בצורה טובה יותר עם סמסונג ו-TSMC בתחום ייצור השבבים המתקדמים.
ייצור ה-Intel 18A של אינטל משלב בתוכו שתי טכנולוגיות ייחודיות, המציעות לדברי החברה שיפור של עד 15% בביצועים לוואט וצפיפות שבב גדולה יותר ב-30% בהשוואה לייצור ה-Intel 3 הקודם שלה:
- ארכיטקטורת הטרנזיסטורים RibbonFET החדשה של אינטל מסוג “gate-all-around”, המשנה את מצב ה”שער” (Gate) בטרנזיסטור המציין אם הוא כבוי או דלוק. מדובר בעיצוב משופר המונע “דליפות חשמל” בשבב, עם האפשרות ליצור טרנזיסטורים קטנים ומהירים יותר.
- טכנולוגיית PowerVia מאפשרת לייצר שבבים “משני הכיוונים” ולהפריד בין חיבורי העברת המידע בין השכבות השונות (interconnect) ובין חיבורי העברת המתח, שעוברים לצד “האחורי” של השבבים. שינוי זה מפנה מקום בשבב, מפשט ומייעל את התהליך ומאפשר ליצור שבבים מהירים וחסכוניים יותר.
מלבד ייצור ה-Intel 18A הרגיל, החברה הציגה גם שתי גרסאות משופרות של הטכנולוגיה שיהיו זמינות בהמשך:
- Intel 18A-P – גרסת “ביצועים” המגיעה עם תאימות מלאה ל-Intel 18A הרגיל למעבר קל יותר לייצור המשופר על ידי לקוחות החברה. ייצור זה נועד להציע שיפור ביצועים של 5% עד 10% לפי דיווחים קודמים.
- Intel 18A-PT – גרסה מותאמת של ה-Intel 18A-P שנועדה לפתרונות AI ומחשוב על (HPC), עם שילוב תכונות נוספות המאפשרות לערום מספר שבבים אחד על גבי השני עם טכנולוגיית ה-Foveros Direct 3D של החברה, תוספת חיבורי TSV ועוד לשכבת הבסיס.
Intel 14A
לצד ייצור ה-Intel 18A והגרסאות המשופרות שלו, אינטל הכריזה כי שלחה “ערכות תכנון תהליך” PDKs (ראשי תיבות: Process Design Kits) לשותפות של החברה בעבור ה-Intel 14A, הדור הבא של טכנולוגיית הייצור של החברה.
טכנולוגיה זו תשתמש לראשונה בליתוגרפיית High-NA EUV בעלת מפתח נומרי (Numerical Aperture) גדול יותר, המאפשר לייצר שבבים בעלי צפיפות ויעילות גדולים יותר.
טכנולוגיית ה-Intel 14A תציע בנוסף מגוון שיפורים טכנולוגיים:
- RibbonFET 2 – הדור השני של טרנזיסטורי ה-RibbonFET של אינטל מסוג GAA (ראשי תיבות: gate-all-around).
- PowerDirect – הדור השני לטכנולוגיית ה-PowerVia המעבירה את אספקת החשמל לחלק האחורי של השבב.
- Turbo Cells – טכנולוגיה המאפשרת לשלב בין “תאים” בעלי ביצועים גבוהים ו”תאים” בעלי יעילות חשמלית גבוהה באותו אזור בשבב, לקבלת איזון חכם בין ביצועים ליעילות.
סרטון הסבר על טכנולוגיית ה-Intel 18A:
