⭐ נקודות עיקריות
- סמסונג החלה במשלוח דגימות ראשונות בתעשייה של זיכרון HBM4E בעל 12 שכבות.
- הזיכרון החדש מגיע בקיבולת של 48GB, עליה של למעלה מ-30% לעומת הדור הקודם.
- השבבים מציעים מהירות של עד 16Gbps ורוחב פס של עד 3.6TB/s לכל מחסנית זיכרון.
- ייצור הרכיבים משלב תהליך 1c DRAM בגודל 10nm ורכיב בסיס לוגי המיוצר בתהליך 4nm.
סמסונג (Samsung) הכריזה על תחילת משלוח דגימות ראשונות בתעשייה של זיכרון HBM4E בעל 12 שכבות. זהו הדור הבא של טכנולוגיית הזיכרון ברוחב פס גבוה HBM (ר”ת High Bandwidth Memory), המציע שיפור של מעל 20% לעומת הדור הקודם עם מהירות של 16Gbps.
זיכרון זה מיועד להאיץ עיבוד נתונים במערכות בינה מלאכותית ומחשוב ענן בקנה מידה רחב, במטרה לתמוך בדרישות הגוברות של מודלי שפה גדולים (LLMs) ותשתיות מחשוב מתקדמות.
הכירו את ה-HBM4E
ההכרזה של סמסונג על משלוח דגימות ה-HBM4E מגיעה בהמשך לתחילת הייצור ההמוני של זיכרון ה-HBM4 מוקדם יותר השנה.
הזיכרון החדש מציג ארכיטקטורה מתקדמת המבוססת על הניסיון שנצבר בייצור הדור הקודם, ומיועד להציע שינויים בנפח ובביצועים עבור עומסי עבודה תובעניים בתחום ה-AI.
סמסונג משלבת בזיכרון ה-HBM4E את תהליך ייצור ה-DRAM המתקדם ביותר שלה, הדור השישי של קבוצת 10nm, המוכר כ-1c. בנוסף, רכיב הבסיס הלוגי (Logic Base Die) מיוצר על ידי חטיבת הייצור של החברה, Samsung Foundry, בתהליך 4nm.
הדגימות הראשונות שנשלחו מגיעות בתצורת 12 שכבות ובקיבולת של 48GB, המהווה עליה של למעלה מ-30% בנפח הזיכרון בהשוואה לדור הקודם.
בהמשך מתכננת החברה להרחיב את היצע הדגמים ולכלול גם תצורות של 8 שכבות בקיבולת 32GB ותצורות של 16 שכבות בקיבולת של 64GB.
ביצועים
לדברי החברה, רכיבי ה-HBM4E מספקים מהירות בסיס יציבה של 14Gbps לכל פין, עם יכולת הגעה עד למהירות של 16Gbps. מהירות זו מהווה שיפור של למעלה מ-20% בביצועים בהשוואה לזיכרון ה-HBM4 הסטנדרטי.
שיפור זה מאפשר להשיג רוחב פס זיכרון כולל של עד 3.6TB/s לכל מחסנית בודדת. לפי החברה, רוחב פס זה חיוני למקסום ביצועי העיבוד של מערכות מחשוב מתקדמות המתמודדות עם כמויות נתונים גדולות בזמן אמת.
צריכת חשמל וקירור
לפי החברה, השימוש בטכנולוגיות תכנון ייעודיות לצריכת חשמל נמוכה ובמבני מארז מתקדמים הוביל לשיפור של 16% ביעילות האנרגטית בהשוואה לדורות קודמים.
בנוסף, מאפייני ההתנגדות התרמית של הרכיב שופרו בלמעלה מ-14%, מה שמאפשר פיזור חום יעיל יותר. שינויים אלו נועדו להבטיח פעילות רציפה ואמינה לאורך זמן לצד הפחתת הצריכה החשמלית.
לוחות זמנים ותעשייה
סמסונג מתכננת להתחיל בייצור המוני של זיכרונות ה-HBM4E לאחר השלמת שלבי הבדיקה והאופטימיזציה של הדגימות הנוכחיות.
