⭐ נקודות עיקריות
- סמסונג החלה בייצור המוני ושילוח של זכרונות ה-HBM4.
- הזכרונות מציעים מהירות של 11.7Gbps ורוחב פס מקסימלי של 3.3TB/s.
- השיפור בביצועים הושג באמצעות שילוב ייצור 1c DRAM ו-4nm.
סמסונג (Samsung) הכריזה על תחילת הייצור ההמוני של זכרונות ה-HBM4 ועל משלוח המוצרים המסחריים הראשונים ללקוחותיה.
שבבי הזיכרון החדשים מגיעים בנפח של עד 36GB ומציעים מהירות העברת נתונים של 11.7Gbps, כשהם מיועדים לספק מענה למערכות מחשוב עתירות ביצועים ולתחום ה-AI.
ארכיטקטורה וטכנולוגיה
סמסונג בחרה לשלב ב-HBM4 את יכולות הייצור המתקדמים ביותר שלה. הזכרונות מיוצרים בתהליך ברמת 10nm מהדור השישי (המכונה 1c) עבור רכיבי הזיכרון ובתהליך 4nm עבור רכיבי הבקרה.
השבבים החדשים משלבים בשלב הנוכחי עד 12 שכבות על מנת להציע נפח זיכרון של בין 24GB ל-36GB, כאשר בעתיד מתוכננת תמיכה גם בערימות של 16 שכבות לקבלת נפח של עד 48GB.
ביצועים
זכרונות ה-HBM4 של סמסונג מציגים מהירות של 11.7Gbps. לדברי החברה, מדובר בנתון הגבוה בכ-46% מהסטנדרט בתעשייה העומד על 8Gbps, ושיפור של 22% בהשוואה לדור ה-HBM3E הקודם.
סמסונג מציינת כי ניתן להגביר את הביצועים עד ל-13Gbps כדי להתמודד עם צווארי בקבוק בהעברת נתונים. בנוסף, רוחב הפס הכולל גדל פי 2.7 בהשוואה ל-HBM3E, ומגיע למקסימום של 3.3TB/s.
הזכרונות החדשים מציגים שיפור של 40% ביעילות האנרגטית בהשוואה ל-HBM3E, הודות לשימוש בטכנולוגיית TSV (חיבור דרך הסיליקון) במתח נמוך ואופטימיזציה של רשת חלוקת הכוח (PDN).
כמו כן, החברה מדווחת על שיפור של 10% בעמידות התרמית ושיפור של 30% בפיזור החום.
זמינות
סמסונג החלה כאמור בייצור המוני ובמשלוח זכרונות ה-HBM4 ללקוחות, כשהיא נערכת להרחבת כושר הייצור כדי לעמוד בביקושים הגבוהים.
