יצרנית שבבי הזיכרון SK hynix הכריזה במהלך כנס ה-SK AI Summit שנערך בימים אלו על פיתוח זכרונות HBM3E המגיעים לראשונה בעולם בנפח 48GB עם 16 שכבות, דור חדש של זכרונות HBM המבטיח ביצועים טובים יותר של עד 32% בהיסק (inference) בעבור פתרונות בינה מלאכותית. רכיב הזיכרון החדש מצטרף למשפחת זכרונות ה-DRAM ו-NAND של החברה במטרה לתת מענה מלאה ללקוחות.
זכרון ה-HBM3E (ר”ת High Bandwidth Memory 3 Extended) החדש מגיע כגרסה משופרת לזכרון ה-HBM3E בעל 12 השכבות שהחברה הציגה בספטמבר וכשלב ביניים נוסף בדרך לזכרונות ה-HBM4 מהדור הבא של החברה.
השימוש ב-16 שכבות מאפשר להגיע לנפח אחסון של 48GB, בהשוואה ל-36GB ב-12 שכבות בדור הקודם. הזיכרון משתמש בטכנולוגיית ה-MR-MUF (ר”ת Advanced Mass Reflow Molded Underfill) לקבלת ביצועים תרמיים טובים יותר ותאימות לאחור לזכרונות ה-HBM3 הרגילים, דבר המאפשר להשתמש בשבבי ה-HBM3E החדשים ללא צורך בהתאמות מיוחדות.
השימוש העיקרי בעבור זכרונות HBM3E כיום הוא למחשבי על ושרתים בעבור בינה מלאכותית, ישומים הדורשים קצב העברת מידע גבוה במיוחד. בעוד ש-SK hynix לא פרסמה את הנתונים הטכניים המלאים של שבבי ה-16 שכבות החדשים, החברה מציינת כי הם מאפשרים שיפור ביצועים של 18% באימון מודלי AI ו-32% בהיסק (inference) בהשוואה לדור הקודם בעל 12 השכבות, שהציג רוחב פס של למעלה מ-1.2TB/sומהירות I/O של מעל 9.2Gbps.
פיתוחים נוספים
מלבד זכרונות ה-HBM3E החדשים, החברה סיפקה מידע על פיתוחים נוספים עליהם היא עובדת, בהם זכרונות LPCAMM2 למחשבים ושרתים, זכרונות LPDDR5 ו-LPDDR6 בייצור 1c-nm, כונני SSD מהדור השישי, זכרונות QLC בתקן eSSD ו-UFS 5.0 וטכנולוגיות לשימוש בשבבי הזיכרון עצמם, בהן PIM (ר”ת Processing in Memory) ו-PNM (ר”ת Processing near Memory).
