יצרנית שבבי הזיכרון SK hynix הכריזה על זכרונות HBM3E חדשים ליצרנים, דור חדש של זכרונות HBM המבטיח את הביצועים הטובים בעולם עם קצב העברת מידע של 1.15TB/s המיועד לשימוש בעבור פתרונות בינה מלאכותית.
זכרון ה-HBM3E (ר”ת High Bandwidth Memory 3 Extended) החדש הוא גרסה משופרת של זיכרון HBM3 הסטנדרטי של החברה, המגיע כזיכרון DRAM בעל רוחב פס גבוה במיוחד הנמצא בשימוש במחשבי על או במקרה היותר רלוונטי היום, שרתים בעבור בינה מלאכותית, בהם ה-GH200 Grace Hopper של אנבידיה, הדורשים קצב העברת מידע גבוה במיוחד.
חברת SK Hynix התנסחה בצורה מעניינת למדי בהכרזת זיכרון ה-HBM3E החדש, כאשר במקום “המהיר בעולם” החברה תיארה אותו כבעל “הביצועים הטובים בעולם”, הבדל קל בניסוח הנובע סביר להניח מהעובדה כי בעוד שהזיכרון החדש מצליח להציג קצב העברת מידע גבוהה במיוחד של 1.15TB/s או העברה של יותר מ-230 סרטי Full HD בשניה, הוא עדיין מעט איטי יותר מזיכרון ה-HBM3 Gen2 החדש של חברת מיקרון בעל קצב העברת מידע של 1.2TB/s.
מלבד קצב העברת המידע הגבוה שלו, זיכרון ה-HBM3E החדש של מיקרון מגיע גם עם שיפור של 10% בפיזור החום אותו השבב מייצר על ידי שימוש בטכנלוגיית ה-MR-MUF (ר”ת Advanced Mass Reflow Molded Underfill), המעניק לו גם תאימות לאחור לזכרונות ה-HBM3 הרגילים, מה שמאפשר להשתמש בשבבי ה-HBM3E החדשים ללא צורך בהתאמות מיוחדות.
שבב זיכרון ה-HBM3E החדש של SK hynix צפוי לעבור לייצור המוני במהלך החציון הראשון של 2024.
