סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור התשיעי בתצורת TLC (ר”ת triple-level cell) עם נפח של 1Tb, המציעים צפיפות סיביות (bit density) משופרת של 50% באמצעות מבנה double-stack חדשני לצד שיפור של 33% במהירות ושיפור של 10% בצריכה החשמלית בהשוואה לדור הקודם.
שבבי ה-V-NAND החדשים מחליפים את שבבי הדור השמיני שהוצגו בסוף 2022, כאשר פרט המידע שחסר ביותר הוא מספר השכבות המרכיבות את שבב ה-1Tb החדש. בעוד שהדור השמיני הגיע עם 236 שכבות, הצפי הנוכחי והלא רשמי מדבר על שימוש ב-290 שכבות בדור החדש.
השיפור בדור שבבי ה-V-NAND מהדור התשיעי מגיע בזכות מבנה ה-Double-Stack או “ערימה כפולה”, המאפשר לערום יותר שכבות בכל שבב עם השימוש בטכנולוגיית channel hole etching, היוצרת ערוצי מעבר לאלקטרונים בין השכבות השונות ללא צורך ביצירת “חורי דמה” (dummy channel holes) כפי שנעשה בדור הקודם.
לפי סמסונג, שבבי ה-V-NAND החדשים מתבססים על תקן ה-Toggle 5.1 המעודכן של תקן ה-NAND, עם מהירות קלט/פלט של 3.2Gbps, שיפור של 33% בהשוואה לשבבי ה-V-NAND מהדור השמיני, שהציעו מהירות של 2.4Gbps, ותמיכה משופרת בעבור חיבור PCIe 5.0, כאשר הם מציעים חיסכון של 10% בצריכה החשמלית שלהם.
סמסונג החלה בייצור ההמוני של שבבי V-NAND דור 9 בתצורת 1Tb TLC, והחברה צפויה לעבור לייצור המוני של שבבי QLC במחצית השניה של 2024.
