ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה רשמית כי היא החלה בייצור המוני של שבבי זיכרון V-NAND מהדור השמיני בנפח גבוה של 1Tb בתצורת TLC (ר”ת triple-level cell), צפיפות נפח המידע הגבוהה ביותר נכון להיום בשבבי זיכרון.
סמסונג לא חשפה פרטים רבים על שבבי ה-V-NAND החדשים, שבבים שנועדו להחליף את שבבי הדור השביעי והשישי שלה, כאשר פרט המידע שחסר ביותר הוא מספר השכבות המרכיבות את שבב ה-1Tb החדש (או 128GB במונחים של רכיבי הזיכרון שתמצאו בטלפונים ומוצרים נוספים). לפי הניחושים הקיימים, מדובר על 236 שכבות, אך אין לכך אישור רשמי של סמסונג נכון להרגע.
שבבי ה-V-NAND החדשים מהדור השמיני של סמסונג מבוססים על ממשק ה-Toggle DDR 5.0 העדכני של תקן ה-NAND, עם מהירות קלט/פלט משופרת של עד 2.4Gbps, פי 1.2 מהדור השביעי הקודם של החברה, עם תאימות משופרת לביצועים הדרושים להתקני PCIe 4.0/5.0, כאשר הם ישמשו את הדור הבא של התקני האחסון מבוססי שבבי NAND, דוגמת כונני SSD.
שבבי ה-V-NAND החדשים של סמסונג מהדור השמיני נמצאים כרגע בתהליך ייצור המוני, דבר המסמן על זמינות במהלך 2023 או אף מוקדם יותר.
