יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על מעבר לייצור המוני של שבבי 4D NAND מהדור הרביעי של החברה, המגיעים עם 238 שכבות, שיפור ביעילות יצור השבבים וקצב העברת נתונים הגבוה ב-50% לעומת הדור הקודם ומגיע עד 2.4Gbps.
זכרונות NAND נמצאים בשימוש במגוון רחב של מכשירים, החל ממכשירי סלולר ועד פתרונות אחסון SSD. חברת SK Hynix הכריזה על פיתוח הדור הרביעי של שבבי ה-4D NAND בעלי 238 שכבות עוד בשנה הקודמת, כאשר הם מחליפים את שבבי ה-4D NAND מהדור הקודם שהגיעו עם 176 שכבות.
שבבי ה-4D NAND של SK Hynix משמשים במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר”ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית ה-PUC (ר”ת Peri. Under Cell) של החברה, המעבירה את רכיב ה-Peri מהמקום הרגיל לחלקו התחתון, מה שיוצר את “המימד הרביעי” הנוסף.
הדור החדש של שבבי ה-4D NAND מגיע עם שיפור יעילות ייצור (manufacturing efficiency) של 34% בהשוואה לדור הקודם שהגיע עם 176 שכבות, דבר שיאפשר לחברה להציע את השבבים החדשים במחיר מוזל יותר, כאשר הם מציעים שיפור מהירות העברת הנתונים ב-50% ל-2.4Gbps ושיפור של מהירות כתיבה וקריאה בכ~20% לעומת הדור הקודם.
שבב ה-4D NAND בעל 238 השכבות החדש של SK Hynix נמצא כעת בבדיקות תאימות בתחום הסלולר, כאשר הוא צפוי להיות זמין בפתרונות אחסון שונים במהלך המחצית השניה של 2023.
