יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח הדור הרביעי של שבבי זיכרון ה-4D NAND של החברה, המגיע לראשונה בעולם עם 238 שכבות, ומציע נפח של 512Gb בתצורת TLC עם מהירות העברת נתונים הגבוהה יותר ב-50% לעומת הדור הקודם, שמגיעה עד 2.4Gbps.
שבבי ה-4D NAND של SK Hynix משמשים לאחסון מידע במגוון מכשירים שונים, בהם גם מכשירי סלולר. הם משתמשים במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר”ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית ה-PUC (ר”ת Peri. Under Cell) של החברה, המעבירה את רכיב ה-Peri מהמקום הרגיל לחלקו התחתון, מה שיוצר את “המימד הרביעי”.
החברה הציגה את שבבי ה-4D NAND ב-2018, כשדור השבבים הראשון הכיל 96 שכבות. עם הצגת הדור השני בשנת 2019 היא עברה ל-128 שכבות ובדור השלישי שהוצג ב-2020 כבר הגיעה ל-176 שכבות.
כעת מגיע הדור החדש, שמציע פרודוקטיביות ביט (bit productivity) משופרת ב-34%, שיפור מהירות העברת הנתונים ב-50% ל-2.4Gbps וצריכה חשמלית נמוכה יותר ב-21% לעומת הדור הקודם.
שבב ה-4D NAND החדש של SK hynix צפוי להגיע לייצור המוני במהלך החציון הראשון של 2023, כאשר החברה אף צפויה להציג בהמשך גרסה בעלת נפח כפול של 1Tb.
