יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הציגה במהלך כנס ה-ISSCC 2023 (ר”ת International Solid State Circuits Conference) מידע ראשוני על פיתוח שבבי 3D NAND מהדור השמיני, המגיעים עם למעלה מ-300 שכבות ליצירת נפח אחסון גבוה של 1Tb (נפח בפועל של 128GB) בתצורת TLC עם מהירות העברת נתונים של 194MB/s, שיפור של 18% בהשוואה לדור הקודם. שבבי ה-NAND החדשים ישמשו את הבסיס לפתרונות אחסון זולים ומהירים יותר בעתיד.
בעוד שזיכרון ה-3D NAND החדש של SK Hynix טרם הושק רשמית על ידי החברה, שבבי ה-NAND של החברה צפויים להיות בשימוש בפתרונות אחסון שונים כמו כונני SSD וגם במכשירי סלולר, בהם החברה מציעה את שבבי ה-4D NAND המשתמשים במבנה 3D NAND מסוג CTF (ר”ת Charge Trap Flash) בתוספת טכנולוגיית ה-PUC (ר”ת Peri. Under Cell), כאשר הוא יחליף למעשה את הדור הרביעי בעל 238 השכבות.
המעבר למבנה של +300 שכבות מאפשר לייצר זכרונות NAND בעלי נפח אחסון גבוה עם צפיפות מידע של מעל 20Gb למ”מ רבוע, דבר המאפשר מצד אחר להוריד את עלות נפח האחסון הסופית ללקוח, ומן הצד השני גם לשפר את מהירות ה-NAND, שמגיע בדור החדש עם מהירות העברת אותות של 2400MT/s ומהירות העברת מידע מקסימלית של 194MB/s, בהשוואה ל-164MB/s בדור הקודם, דבר חיוני במיוחד לשימושים עם ממשק העברת מידע מהיר כמו PCIe 5.0.
כחלק מתהליך הפיתוח של שבבי ה-NAND מהדור החדש, החברה השתמשה ב-5 פיצ’רים חדשים, בהם שימוש ב-TPGM (ר”ת Triple-Verify Program) ו-AUSP (ר”ת Adaptive Unselected String Pre-Charge) לצמצום זמן התכנות tPROG ב-10% ב-2%, בהתאמה, לשיפור הביצועים.
SK Hynix לא מסרה צפי השקה או זמינות לדור החדש של שבבי ה-NAND, כאשר הצפי הנוכחי מדבר על זמינות של שבבי ה-NAND החדשים במהלך 2024.
