ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) מכריזה על התחלת ייצור של שבבי זיכרון מסוג GDDR6 בנפח 16Gb בתהליך ייצור 10nm שיביאו שיפור של יותר מפי 2 בביצועים ופי 2 בנפח יחסית לשבבי GDDR5.
השבבים החדשים של סמסונג מסוג GDDR6 (ר”ת Graphics Double Data Rate 6) עליהם הכריזה עוד בנובמבר 2017 יגיעו, בדומה לשבבי ה-DRAM של החברה, בתהליך ייצור בגודל 10nm ויחליפו למעשה את הדור הקודם של שבבי הזיכרון לכרטיסי מסך ה-GDDR5 שיוצרו בתהליך 20nm עם נפח של 8Gb. השבב החדש יגיע למהירות של 18Gbps עם העברת נתונים של 72GBps, יותר מפי 2 לעומת מהירות ה-8Gbps לה היו מסוגלים שבבי ה-8Gb GDDR5.
שבבי ה-GDDR6 משתמשים בתכנון חדש של סמסונג המאפשר להם לעבוד במתח נמוך של 1.35V, לעומת 1.55V של שבבי ה-GDDR5, כשהמעבר לתהליך ייצור של 10nm מאפשר לסמסונג להגדיל את פיריון הייצור ב-30% לעומת שבבי ה-GDDR5 20nm.
השבב החדש יצטרף לשבבי ה-Aquabolt HBM2 8GB שהושקו לאחרונה כפיתרון אחסון מהיר לדור הבא של כרטיסי המסך עם ביצועים גבוהים של 18Gbps ל-GDDR6 ושל 2.4Gbps ל-HBM2. עם השדרוג של שני שבבי הזיכרון הגרפיים מסוג HBM ו-GDDR סמסונג מחזקת את השליטה שלה בתחום אחסון הפרימיום לכרטיסי המסך לשנים הקרובות.
לנו המשתמשים נותר רק לצפות לדור הבא של כרטיסי המסך שיגיעו עם השבבים המהירים והגדולים יותר לעומת הדורות הנוכחיים אותם אפשר למצוא היום.
