פחות מחודשיים לאחר שהחלו הסמארטפונים הראשונים בעלי מערכת השבבים Qualcomm Snapdragon 820 להגיע ללקוחות המאושרים, צצים ברשת פרטים ראשונים ומעניינים במיוחד אודות לא פחות מ-3 מערכות-על-שבב חדשות עליהן עובדת ענקית השבבים האמריקאית.
Snapdragon 830
ראשונה היא מערכת השבבים Snapdragon 830 (שם קוד: MSM8998), שתגיע כממשיכת דרכה של ה-Snapdragon 820. בהתאם לפרטים החדשים, יציע השבב ליבות עיבוד מסוג Kryo 200 (בניגוד ל-100 בקודמו), זאת לצד מאיץ גרפי (GPU) מדגם Adreno 540.
עוד נמסר כי השבב יתמוך במהירות הורדה מירבית של 980 מגה-ביט לשניה ומהירות העלאה של 150 מגה-ביט לשניה, זאת באמצעות מודם מסוג X16 LTE. עבור זיכרון RAM ישנה תמיכה ב-LPDDR4X, הזהה כמעט באופן מוחלט ל-LPDDR4, למעט שינויים בצריכת החשמל. השבב ייוצר בהליך 10nm FinFET.
נוסף על כך, נראה כי מערכת על שבב זו אף תתמוך במסכים ברזולוציה של עד UltraHD 4K. הכרזת ה-Snapdragon 830 צפויה להתרחש ברבעון האחרון של 2016.
Snapdragon 828 & Snapdragon 823
שני הדגמים הנוספים שאת פרטיהם חושף הדיווח הם ה-Snapdragon 828 ו-Snapdragon 823. על פי זה, יגיע ה-Snapdragon 828 (שם קוד: MSM8997) עם מפרט כמעט זהה ל-Snapdragon 830, מלבד מספר הבדלים מהותיים. בדומה לאחיו הגדול, יציע השבב ליבות עיבוד מסוג Kryo 200 ויתמוך בזיכרון RAM מסוג LPDDR4X.
מנגד, את האחריות לגרפיקה ישא על כתפיו מאיץ מסוג Adreno 519, עליו אנו שומעים בפעם הראשונה זה עתה. מועד הכרזת המערכת-על-שבב הינו הרבעון האחרון לשנה הנוכחית.
אחרון חביב הוא לא אחר מאשר שבב ה-Snapdragon 823 (שם קוד: MSM8996 Pro) שזו לא הופעתו הראשונה. על פי הדיווח, שמו הראשוני של השבב היה Snapdragon 821, כאשר הוא למעשה יהווה לגרסה מעט משודרגת בהשוואה ל-Snapdragon 820 הסטנדרטי.
ההבדל המשמעותי ביותר בין השניים יתבטא, כנראה, בתדר ליבה גבוה יותר עבור ליבות ה-Kryo, כאשר המאיץ הגרפי Adreno 530 ישאר ללא כל שינוי. הכרזתו תתרחש, נמסר, עד לסוף הרבעון הנוכחי (30 ביוני).
