⭐ נקודות עיקריות
- SK hynix הכריזה על פיתוח זיכרון LPDDR6 בנפח 16Gb בתהליך 1c (10nm).
- הזיכרון מציע שיפור של 33% במהירות עיבוד הנתונים בהשוואה ל-LPDDR5X.
- צריכת החשמל הופחתה ביותר מ-20% באמצעות שילוב טכנולוגיית DVFS ומבנה תת-ערוצים.
- ייצור המוני צפוי במחצית הראשונה של השנה, ואספקה תחל במחצית השנייה.
חברת SK hynix הכריזה על פיתוח זיכרון DRAM מסוג LPDDR6 בנפח 16Gb, המבוסס על תהליך ייצור מהדור השישי בסדרת ה-10nm (1c).
הזיכרונות החדשים מציעים מהירות של מעל ל-10.7Gbps, כאשר חברה מציינת כי הזיכרון החדש מיועד למכשירים ניידים כגון סמארטפונים וטאבלטים, בדגש על יישומים המשלבים יכולות בינה מלאכותית באופן מקומי.
ביצועים ומהירות
לדברי החברה, זיכרון ה-LPDDR6 החדש מציג שיפור של 33% במהירות עיבוד הנתונים בהשוואה לדור הקודם (LPDDR5X).
שיפור זה מושג הודות להרחבת רוחב הפס והגדלת קצב העברת הנתונים, כאשר מהירות ההפעלה הבסיסית עומדת על מעל ל-10.7Gbps.
על פי הערכות ונתונים מתערוכת ISSCC, החברה צפויה להציע מודולים שיוכלו להגיע למהירויות של עד 14.4Gbps.
הנתון הזה תואם לשיפור המוצהר של 33% לעומת תקרת המהירות של ה-LPDDR5X, שעמדה על 10.7Gbps.
יעילות אנרגטית וטכנולוגיה
בגזרת צריכת החשמל, החברה מדווחת על הפחתה של למעלה מ-20% בצריכת האנרגיה לעומת הדור הקודם. נתון זה מתאפשר באמצעות שילוב של מבנה תת-ערוצים (Sub-channel) וטכנולוגיית DVFS.
מבנה התת-ערוצים מאפשר הפעלה סלקטיבית של נתיבי הנתונים הדרושים בלבד, כך שלא כל הערוצים פועלים כשהדבר אינו נדרש.
במקביל, טכנולוגיית ה-DVFS מתאימה באופן דינמי את המתח והתדר בהתאם לעומס, כדי לספק רוחב פס מקסימלי בזמן משחקים ולחסוך בחשמל בשימוש רגיל.
זמינות ולוחות זמנים
החברה מתכננת להשלים את ההכנות לייצור המוני של זכרונות ה-LPDDR6 במהלך המחצית הראשונה של השנה.
