חברת Quinas Technology השלימה השבוע שלב חשוב נוסף בדרך לייצור תעשייתי של טכנולוגיית זיכרון UltraRAM המהפכנית שלה.
שיתוף פעולה עם חברת IQE plc הוכיח הצלחה בפיתוח תהליך ייצור בקנה מידה תעשייתי, צעד משמעותי לקראת מסחור הטכנולוגיה שעשויה לשנות את שוק הזיכרון לחלוטין.
Quinas, שהוקמה כחברת ספין-אוף מאוניברסיטת לנקסטר, מתמחה בפיתוח טכנולוגיית UltraRAM – זיכרון שמבטיח לשלב את המהירות של DRAM עם יתרונות של NAND וללא הפשרות המוכרות.
הטכנולוגיה מבוססת על תהליך קוונטי ייחודי הנקרא “resonant tunneling” (מנהור רזונטי), המאפשר ביצועים מהפכניים בעולם הזיכרון.
השוואה לטכנולוגיות זיכרון קיימות
טכנולוגיית ה-UltraRAM נועדה לאחד ולהתעלה על טכנולוגיות ה-NAND לאחסון ו-DRAM לזיכרון וליצור פתרון אחסון אחיד לשני השימושים עם אוסף נרחב של יתרונות בהשוואה לטכנולוגיות הקיימות:
- מהירות – זמני כתיבה של 1 ננושנייה (פי 10 מהר יותר מ-DRAM ופי 100 מהר יותר מ-NAND).
- עמידות – עד 10 מיליון מחזורי כתיבה/מחיקה, פי 4,000 יותר מזיכרון NAND רגיל.
- יעילות אנרגטית – צריכת אנרגיה פי 100 נמוכה יותר מ-DRAM ופי 1,000 נמוכה יותר מ-NAND.
- שמירת מידע – שמירה למעלה מ-1,000 שנה ללא צריכת חשמל, לעומת כמה ימים ב-DRAM.
- אי-נדיפות – שמירת מידע גם כאשר הזרם מנותק, בניגוד ל-DRAM שדורש רענון קבוע.
פריצת דרך בייצור תעשייתי
כחלק משותפות בין Quinas וחברת IQE plc, פותח תהליך התמצקות (epitaxy) מתקדם לחומרים גליום אנטימוניד ואלומיניום אנטימוניד – טכניקה שהחברות מגדירות כ”ראשונה מסוגה בעולם” לזיכרון בקנה מידה תעשייתי. התהליך כולל הצמחת שכבות מוליכים למחצה מורכבים בדיוק רב על גבי מצע קריסטליני.
Quinas ו-IQE בוחנות כעת שיתופים נוספים עם בתי יציקה ושותפים אסטרטגיים לייצור זכרונות UltraRAM כפיילוט.
השלמת שלב הפיתוח התעשייתי של UltraRAM מביאה את הטכנולוגיה המהפכנית צעד משמעותי קרוב יותר למסחור, עם פוטנציאל לשנות את נוף טכנולוגיות הזיכרון מיישומי IoT קטנים ועד למרכזי נתונים גדולים.
