לראשונה בתעשייה, יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח שבבי 1c DDR5, המגיעים בייצור ה-1c “ברמת ה-10nm” של החברה במהירות של 8Gbps, הגבוהה ב-11% לעומת הדור הקודם ועם צריכה חשמלית נמוכה יותר.
שבבי ה-DDR5 החדשים אותם פיתחה מגיעים מייצור ה-1c מהדור השישי של החברה ב”רמת ה-10nm”, טכנולוגיית ייצור משופרת המחליפה את ייצור ה-1b שלה ומשלבת “חומר חדש” בתהליך ייצור ה-EUV (ר”ת extreme ultra violet) לצד שיפור של יותר מ-30% בפרודקטיביות.
השבבים החדשים צפויים להציע מהירות של 8Gbps, שיפור של 11% בהשוואה לדור הקודם, המגיע לצד צריכה חשמלית הנמוכה במעל 9%.
לפי החברה, שילוב זה מציע חיסכון של כ~30% בצריכת החשמל בעבור מרכזי מידע הנמצאים בשימוש ב”עידן ה-AI” הנוכחי.
SK Hynix ציינה כי היא צפוייה להשתמש בטכנולוגיית ה-1c החדשה גם בייצור שבבי זיכרון מסוג HBM, LPDDR6, ו-GDDR7.
לפי SK hynix, שבבי ה-1c DDR5 החדשים יהיו מוכנים לייצור המוני כבר השנה, עם צפי למשלוח כמותי החל מהשנה הבאה.
“ברמת 10nm”?
בעוד שרובנו רגילים לשמוע את המושגים “ייצור 10nm” או “ייצור 5nm” בתחום המעבדים ומערכות השבבים בסלולר, תחום זכרונות ה-DRAM מעט שונה ומשתמש במושגים אחרים לציון טכנולוגיית ייצור, כאשר לרוב החברות מדברות על “ייצור ברמת 10nm”, מה שבפועל מדבר על ייצור בטווח של 10nm~19nm.
יצרני השבבים משתמשים בסימונים יעודיים וייחודיים לתעשיה כמו 1X, 1Z או 1α לסימון טווח טכנולוגיית הייצור, כאשר במקרה של SK Hynix, ה-1c מסמן את הדור השישי של טכנולוגיית ה”ייצור ברמת 10nm” של החברה.
