יצרנית הזכרונות מיקרון (Micron) הכריזה על ייצור שבבי זיכרון HBM3 Gen2, הדור השני של אחסון ה-HBM3 המגיע בייצור 1β מתקדם המציע לראשונה בתעשיה רוחב פס גבוה במיוחד של יותר מ-1.2TB/s, זיכרון המיועד לשימוש בתחום הבינה המלאכותית הגנרטיבית, למידה עמוקה ופתרונות מחשוב עתירי ביצועים HPC.
זכרונות HBM נחשבים לפתרון המקביל לטכנולוגיית ה-GDDR הנמצאת בשימוש בכרטיסי מסך ומאיצים גרפיים, בהם אלו המשמשים בתחום הבינה המלאכותית היום, כאשר HBM מציע רוחב פס גדול יותר אך גם מגיע בתג מחיר יקר יותר לעומת שבבי GDDR, במיוחד לאור אופן השימוש בהם, המחייב הרכבה צמודה לשבב שיעשה שימוש בזיכרון.
שבב ה-HBM3 Gen2 החדש של מיקרון מיוצר בטכנולוגיית ה-1β המתקדמת של החברה ומגיע בנפח של 24GB על ידי שילוב 8 שכבות (8-high stack) עם מהירות העברת מידע של 9.2Gb/s לפין, שיפור של 50% לעומת דור ה-HBM3 הנוכחי, כאשר הוא מציע רוחב פס כללי של יותר מ-1.2TB/s, זאת בנוסף לשיפור של פי 2.5 בביצועים לוואט לעומת הדור הקודם.
עליית תחום הבינה המלאכותית הגנרטיבית הביא איתו צורך גובר בשרתים ומאיצים גרפיים המסוגלים להפעיל בצורה יעילה ומהירה את מודלי ה-AI השונים, תחום המשתמש בזכרונות HBM מהירים. לצד זיכרון ה-24GB החדש, מיקרון תחל לדגום זכרונות HBM3 Gen2 בנפח 36GB עם 12 שכבות ברבעון הראשון של 2024.
