חברת WD (ר”ת Western Digital) וחברת Kioxia (לשעבר Toshiba Memory) הכריזו על הדור שמיני של ה-BiCS FLASH, השם הרשמי של זיכרון ה-3D NAND אותו מפתחות החברות, זיכרון המגיע בדור החדש ל-218 שכבות ונפח של 1Tb (או 128GB) בתצורת TLC ו-QLC ומציג שיפור ביצועים של 60% בהשוואה לדור הקודם.
שבבי NAND נמצאים בשימוש בטווח רחב של מוצרים כפתרון האחסון המועדף, כאשר שבב ה-BiCS החדש משלב 4 “שכבות” (Planes) יחדיו עם שימוש בטכנולוגיית כיווץ מיוחדת של החברה וטכנולוגיית CBA (ר”ת CMOS directly Bonded to Array), המאפשרות לקשר בין בצורה טובה יותר בין השכבות על מנת להציע דחיסות מידע גבוהה יותר של מעל 50% בהשוואה לדור הקודם.
השיפורים הטכנולוגיים המגיעים בדור ה-BiCS החדש מביאים עימם שיפורים גם לקצב העברת המידע, עם מהירות העברת נתונים של 3.2Gbps ברמת ה-NAND I/O, שיפור של 60% בהשוואה לדור הקודם.
בנוסף, קיים שיפור של 20% בביצועי הכתיבה והפחתת זמני השיהוי לשבב ה-NAND החדש, דבר שישפר את חווית השימוש במוצרים שישלבו את השבב החדש.
דוגמאות של זכרונות ה-BiCS החדשים של WD ו-Kioxia נשלחו לשותפים של החברות, והם צפויים להיכנס לשימוש בטווח רחב של פתרונות אחסון, בהם מכשירי סלולר, פתרונות IoT ועוד.
