סמסונג (Samsung) הכריזה על התחלת השימוש בטכנולוגיית ייצור ה-3nm שלה, ה-MBCFET (ר”ת Multi-Bridge-Channel FET), לראשונה בעולם ולפני TSMC המתחרה.
ההתחלה של ייצור השבבים הראשוני (initial production) בטכנולוגיה החדשה תאפשר שיפור ביצועים של עד 23% וצריכה חשמלית נמוכה יותר בעד 45% בדור הראשון החדש, זאת בהשוואה לייצור בתהליך בגודל 5nm ואף יותר מכך בדור הבא.
סמסונג עוברת לייצור שבבים בתהליך 3nm
טכנולוגיית ה-MBCFET (ר”ת Multi-Bridge-Channel FET), גרסה מותאמת וייחודית לסמסונג של ייצור GAA (ר”ת Gate-All-Around), הוכרזה במקור ב-2019 כטכנולוגיה עליה יבוסס ייצור ה-3nm של החברה.
בעוד שטכנולוגיית ה-GAA הרגילה בייצור GAAFET משתמשת ב”נאנו צינורות” (Nanowire), טכנולוגיית ה-MBCFET המשופרת של סמסונג המתבססת עליה משתמשת ב”נאנו משטחים” (Nanosheet) בעלי שטח מגע גדול יותר המשפר את ביצועי הטכנולוגיה, תוך כדי הגדלת כמות השערים מ-3 ל-4 בהשוואה לטכנולוגיית ייצור ה-FinFET הקודמת.
לפי סמסונג, שיטת הייצור חדשה מאפשרת ליצור שבבים עם צריכה חשמלית נמוכה בעד 45%, עם ביצועים משופרים בעד 23% ושטח פיזי קטן יותר של השבב בעד 16% לעומת ייצור ה-5nm הנוכחי, כאשר הדור הבא של ייצור ה-3nm מבית סמסונג צפוי לשפר את הנתונים עוד יותר, לקבלת שיפור של 50% בצריכה החשמלית, 30% בביצועים ו-35% בגודל השבב.
בעוד שמדובר על ייצור ראשוני בלבד בטכנולוגיית ה-MBCFET של סמסונג בתהליך ה-3nm, החברה הצליחה להקדים את TSMC המתחרה בתחילת הייצור הנוכחי.
הסבר סמסונג על טכנולוגיית ה-MBCFET:
