יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון HBM3, הראשונים בתעשייה שיגיעו בנפח של 16GB ו-24GB ויציעו מהירות העברת נתונים גבוהה במיוחד של עד 819GB/s, שיפור של כ~70% לעומת זכרונות ה-HBM2E מהדור הקודם.
זכורונות HBM או High Bandwidth Memory, הם זכרונות DRAM בעלי רוחב פס גבוה במיוחד, המשמשים למגוון יישומים בהם יש צורך במהירות גבוהה כמו כרטיס עיבוד גרפיים, מחשבי על, מערכות בינה מלאכותית ויישומים נוספים. למרות השם HBM3, למעשה מדובר על הדור הרביעי של זכרונות ה-HBM, שעברו ל-HBM2 ול-HBM2E, שהגיע כגרסה משופרת ל-HBM2 הרגיל.
>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי
על פי החברה, שבבי הזיכרון החדשים מגיעים בעובי של כ~30μm, כשליש מעובי דף A4 רגיל, כאשר החברה עורמת 12 שבבים עם שימוש בטכנולוגיית ה-TSV (ר”ת Through Silicon Via) ליצירת שבבי ה-HBM3 החדשים בנפחים של 16GB ו-24GB, שיגיעו עם יכולת העברת מידע בקצב של 819GB/s, שיפור של 70% לעומת ה-HBM2E שהגיעו לקצב של 460GB/s.
בעוד שזכרונות HBM מציעים ביצועים משופרים וגבוהים יותר לעומת טכנולוגיית ה-GDDR המקבילה, העלות הגבוהה של שבבי הזיכרון גרמה לכך כי לפחות בשוק הבייתי מרבית הפתרונות הגרפיים כיום מתבססים על טכנולוגיית ה-GDDR6,, על אף שהיו מספר מצומצם בעבר של כרטיסים גרפיים מבוססי זכרונות HBM, דוגמת ה-Radeon RX Vega של AMD.
