חברת סמסונג (Samsung), אחת מיצרניות השבבים הגדולות בעולם, הכריזה על המעבר לייצור המוני של שבבי זיכרון 16Gb LPDDR5 DRAM מהדור השלישי, אשר צפויים להגיע לסדרת מכשירי הדגל Galaxy S30 (או S21) או שתיחשף בשנה הבאה. שבבי הזיכרון ייוצרו בפס הייצור החדש של החברה, ה-Line 2 במפעל ה-Pyeongtaek של סמסונג בקוריאה, שנחשב לפס הייצור הגדול בעולם בגודל של כ~128,900 מטר מרובע.
שבב ה-DRAM החדש הוא הדור השלישי של שבבי ה-LPDDR5 מבית סמסונג המשלב בתהליך ייצור ה-10nm-class 1z את טכנולוגיית ה-EUV (ר”ת extreme ultraviolet), כשהוא מחליף למעשה את שבב ה-LPDDR5 שהוצג בתחילת השנה על ידי החברה. השימוש בשבב החדש מאפשר לחברה להציע זיכרון 16GB LPDDR5 בעובי דק יותר ב-30% לעומת הדור הקודם באמצעות שימוש ב-8 שכבות בלבד (16Gb*8) לעומת 12 בדור הקודם (12Gb*8+8Gb*4).
הזיכרון החדש בתצורת ה-16GB יציע מהירות העברת נתונים של 6400Mb/s או 800MB/s, שיפור של 16% לעומת ה-LPDDR5 הקודם שהגיע במהירות של 5500Mb/s או 687.5MB/s. למעשה, שבב הזיכרון החדש מציעה מהירות מספקת להעברת 10 סרטי Full HD בנפח 5GB כל אחד או מידע בנפח 51.2GB בשניה אחת בלבד.
>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי
שבבי ה-16GB LPDDR5 החדשים צפויים להגיע למכשירי הדגל הסלולריים במהלך 2021, כאשר קו הייצור החדש צפוי לעבור לייצור זכרונות V-NAND לתחום האחסון בהמשך.
למרות שסמסונג לא הצהירה זאת באופן רשמי, ניתן להניח כי הדור הבא של מכשירי סמסונג, ה-Galaxy S30 ו-Galaxy Note 30 יהיו זמינים בשנה הבאה עם זיכרון 16GB LPDDR5, כאשר הפרט היותר מעניין הוא באיזה מכשיר הזיכרון החדש יגיע לראשונה לשוק.
