נכון להיום, חברת אינטל (intel) חווה קשיים רבים במעבר לייצור מעבדים בטכנולוגיית ה-10nm, אך מידע חדש שאינטל מסרה למשקיעים בנאסד”ק (Nasdaq) בשיחת הוועידה ה-39, מראה כי החברה נמצאת בתהליך מתקדם בפיתוח ומעבר לייצור 7nm שעומד בלוח הזמנים של החברה.
בעוד שהמעבר לייצור ב-10nm היה מתוכנן במקור לחציון השני של 2016 ונמצא בייצור מוגבל בלבד כיום, אינטל צפויה לעבור לייצור המוני רק בשלב מאוחר בשנת 2019, פער של כ-3 שנים לעומת לוח הזמנים של החברה. בו בזמן מסתבר שאינטל הפעילה צוות פיתוח נפרד לייצור מעבדים בתהליך ה-7nm, מה שעשוי להצביע על כך שזמן החיים של מעבדי ה-10nm העתידיים יהיה קצר מהצפוי.
לפי אינטל, הבעיה העיקרית עם המעבר לייצור בתהליך 10nm נוצרה בשל יעדים אגרסיביים למדי של החברה לכמות הטרנזיסטורים למעבד ושימוש בליתוגרפיית DUV (ר”ת deep ultraviolet) עם לייזר באורך גל של 193nm, מה שייצר בעיות ייצור עם השימוש בארבע תצורות (quad-patterning) בתהליך הייצור.
לעומת זאת, צוות הפיתוח שעבד על המעבר ל-7nm השתמש בליתוגרפיית EUV (ר”ת extreme ultraviolet) עם לייזר באורך גל של 13.5nm בתהליך ייצור מפושט לעומת הייצור ב-10nm, מה שהביא לכך שהפיתוח הנפרד ל-7nm דבק בלוח הזמנים המקורי של אינטל לעומת ה-10nm שמאחר במספר שנים.
קשה לומר האם אינטל אכן תעמוד בלוח הזמנים של החברה לייצור שבבים בתהליך 7nm לאור התקלות עם ייצור ה-10nm, על אף הדיווחים החיוביים של החברה. עם זאת, ובמידה שהחברה אכן תוכל לעמוד בלוח הזמנים שלה היא תצטרף לסמסונג ו-TSMC שמייצרות בתהליך בגודל 7nm כבר היום.
