חברת סמסונג הכריזה כונן Z-SSD מדגם SZ985 בנפח 800GB שישתמש בטכנולוגיית Z-NAND של החברה, יהיה מיועד לתחום הבינה המלאכותית (AI), ביג דאטה ו-“האינטרנט של הדברים” (IoT) ויספיק ביצועים גבוהים יחסית לכונני SSD מבוססי V-NAND.
המידע על הכונן החדש נחשף לראשונה בסוף 2017 עם ההכרזה על טכנולוגיית ה-Z-NAND עליה מתבסס. כעת הכונן מוכרז באופן רשמי כשהוא משתמש בטכנולוגיית ה-Z-NAND של החברה המבוססת על זיכרון SLC (ר”ת Single Level Cell) “חד שלבי”.
שבבי ה-Z-NAND עליהם מבוסס הכונן יוכלו לספק ביצועי קריאה הגבוהים פי 10, לעומת שבבי V-NAND עם 3 ביטים להם הוסיפה סמסונג זיכרון נוסף של 1.5GB מסוג LPDDR4 לשם הגברת הביצועים. יחד עם בקר זיכרון יעודי חדש מאפשר כונן ה-Z-SSD קריאה רנדומלית של 750K IOPS, פי 1.5 מכונן SSD מבוסס V-NAND עם כתיבה רנדומלית של 170K IOPS, כל זאת עם זמן אחזור של 16μs בלבד.
טכנולוגיית ה-Z-NAND של סמסונג נועדה לתת מענה לטכנולוגיית ה-3D-XPoint של אינטל, כאשר הכוננים מבוססי Z-NAND מצליחים לקבל ביצועים טובים יותר בחלק מהמקרים לעומת כונני אינטל מבוססי 3D-XPoint.
| סמסונג SZ985 | אינטל Optane P4800X | |
|---|---|---|
| טכנולוגיה | Z-NAND | 3D XPoint |
| קריאה רנדומלית | 750K IOPS | 550K IOPS |
| כתיבה רנדומלית | 170K IOPS | 550K IOPS |
| רוחב פס קריאה | 3.2GB/s | 2.4GB/s |
| רוחב פס כתיבה | 3.2GB/s | 2.0GB/s |
| זמן אחזור קריאה | 12-20μs | 10μs |
| זמן אחזור כתיבה | 16μs | 10μs |
הכונן יוצג באופן רשמי בגרסאות בנפח 240GB ו-800GB על ידי סמסונג במהלך כנס ISSCC 2018 (ר”ת International Solid-State Circuits Conference) בסן פרנסיסקו בחודש פברואר הקרוב.
בעוד עדיין לא מדובר בפיתרון ביתי, אלא תעשייתי, ניתן לצפות כי בהמשך יהיו כונני Z-SSD זמינים גם למשתמשים הביתיים בדומה לכונני ה-3D-XPoint של אינטל.
