אנו אמנם נמצאים במרחק של מספר חודשים ממועד הכרזתו המשוער של מכשיר הדגל השני מבית ייצורה של סמסונג לשנת 2017, הוא ה-Galaxy Note 8, אך אין הדבר מונע מהשמועות והדיווחים ברחבי הרשת לעסוק דווקא בממשיך דרכו, ה-Samsung Galaxy Note 9. שמועה ראשונה שצצה ברשת בעניין פאבלט הפרימיום הנ”ל, שכלל לא צפוי להפוך לרשמי לפני הרבעון השלישי של 2018, מעידה כי זה יציע למשתמשיו מערכת על שבב המיוצרת בתהליך מתקדם מסוג 7nm FinFET.
אף שמדובר בהתקדמות טכנולוגית שגרתית למדי, דיווח זה למעשה מעיד על שינוי באסטרטגיה של ענקית הטכנולוגיה הדרום קוריאנית. צמד מכשירי הדגל שיקדימו את הנוט 9 יהיו ה-Galaxy S9 ו-Galaxy S9 Plus, שהכרזתם צפויה להתרחש במהלך הרבעון הראשון של השנה הבאה. השינוי באסטרטגיית הפיתוח של סמסונג יתבטא בכך שזו תבחר בשבב עיבוד מסוג אחד עבור סדרת ה-S9 (שייוצר בתהליך בגודל 10nm), ובפלטפורמת עיבוד אחרת עבור ה-Galaxy Note 9 (תיוצר בתהליך בגודל 7nm) – כאשר כל אחת מציעה יכולות שונות ומפרט שונה.
משמעות הדבר היא שאם בשנים האחרונות היו יכולותיהם הטכניות של דגמי סדרת ה-Galaxy S ו-Galaxy Note (שהוכרזו באותה השנה) זהים למדי, הרי שב-2018 כל זה הולך להשתנות ובין שתי הסדרות נמצא הבדלים גם בכל הנוגע לביצועים. במקרה שהדברים אכן יתבררו כנכונים, יעזור המהלך ליצרנית למתג את ה-Galaxy Note כמותג פרימיום המתעלה על סדרת גלקסי S – זאת בניגוד למצב הנוכחי בו ההבדלים בין שתי הסדרות הולכים ומצטמצמים.
