לא עוצרת: לאחר שהכריזה על כרטיס הזיכרון מסוג MicroSD בנפח הגבוה בעולם, סמסונג לא נחה על זרי הדפנה ומכריזה על שבב זיכרון פעולה (RAM) חדש בנפח עצום של שישה גיגה-בייט.
השבב החדש פועל בטכנולוגיית LPDDR4 ומשתמש בתהליך הייצור החדש ביותר בגודל עשרה ננו-מטר. בעזרת תהליך הייצור החדש, השבב של סמסונג מסוגל להציע את נפח הזיכרון הגבוה ללא התפשרות על צריכת חשמל נמוכה ויעילות גבוהה. עד כה, המכשירים המעטים אשר הציעו את נפח זיכרון הפעולה הגבוה נאלצו להשתמש בזוג שבבי זיכרון בנפח שלושה גיגה-בייט, פיתרון בזבזני בחשמל התופס שטח פיזי יקר על פני לוח האם של המכשיר.
בעזרת השבב החדש של סמסונג, מכשירים רבים יוכלו להציע את נפח הזיכרון הגבוה בקלות. מכשיריה של סמסונג עצמה יהיו המרוויחים העיקריים מהשיפור, שכן מערכת ה-Touchwiz הכבדה המותקנת בהם מנשנשת כל כמות של זיכרון פעולה בקלות. בנוסף, מכשירים היעשו שימוש בשבב החדש יחד עם יכולת ה-MultiWindow החדשה ב-Android N יציעו רמה חדשה של לגמרי של ריבוי משימות שלא נראתה קודם לכן.
לפי חרושת השמועות, מכשיר ה-Galaxy Note 6 מבית סמסונג צפוי להיות מושק בקרוב ולהציע שישה גיגה-בייט של זיכרון פעולה. לא מן הנמנע שהוא ירתום את השבב החדש להשגת מטרתו. במידה שהדיווחים האחרונים בנושא יתבררו כנכונים, נזכה לראות את השקתו של פאבלט ה-Note 6 כבר ב-15 באוגוסט הקרוב.
