חברת קרוסבאר (Crossbar) הציגה זו הפעם הראשונה את פרוייקט פיתוח רכיב זיכרון ה-Flash של החברה, ה-Resistive RAM (או RRAM). רכיבי הזיכרון החדשים מסוגלים לספק ביצועים גבוהים הרבה יותר מרכיבי זיכרון ה-NAND הקיימים כיום בשוק, לספק חיי סוללה ארוכים יותר, נפח אחסון גדול יותר והם יגיעו באריזה קטנה יותר.
עפ”י הנתונים שמציגה חברת Crossbar יאפשר רכיב זיכרון ה-RRAM לבצע פעולות כתיבה לזיכרון במהירות הגדולה פי 20 מהמהירות האפשרית כיום ברכיבי ה-NAND הקיימים, זאת בצריכת אנרגיה נמוכה עד פי 20 מהקיימת כיום ובעמידות גבוהה עד פי 10. בנוסף, יוכל רכיב ה-RRAM לאחסן עד 1 טרה-בייט (1,024GB) של מידע על שבב יחיד ואף מספר טרה-בייטים של מידע על מספר רכיבים שיורכבו זה על גבי זה.
מנכ”ל Crossbar, ג’ורג’ מיניסיאן (George Minassian) ציין כי “טכנולוגיות הזיכרון הקיימות כיום כבר מגיעות לקצה יכולתן כאשר נעשה המעבר לדרישת רכיבים קטנים ככל האפשר, בעוד הטכנולוגיה מאחורי ה-RRAM של החברה כבר הגיעה לכל היעדים הטכניים הדרושים במוצרים היום והיא קלה לייצור ומוכנה למסחור”.
החברה מתכננת לשלב את רכיב הזיכרון החדש במספר מוצרים עבור השוק הרחב, ביניהם טלפונים סלולריים, טאבלטים, רכיבי אחסון למחשבים (כונני SSD), ואף מתכננת לשלב את המוצר במערכות על שבב קיימות, כמו למשל פלטפורמת ה-Snapdragon של חברת קוואלקום, הנמצאת כיום במכשירים סלולריים חכמים רבים בשוק. בשל צריכת החשמל הנמוכה של הרכיבים, אלו עשויים לספק למוצרי טכנולוגיה לבישים, כמו ה-Google Glass, שיפור מהותי בזמן חיי הסוללה – צד מהותי כאשר מדובר במכשירים קטנים שאינם מסוגלים להכיל סוללות בעלות נפח גבוה במיוחד כיום.
