יצרנית שבבי הזיכרון SK hynix הכריזה על השלמת הפיתוח של HBM4, דור הזיכרונות הבא עבור יישומי AI מתקדמים, והכנת מערכת לייצור המוני לראשונה בעולם.
זיכרון ה-HBM4 החדש מציג שיפור כפול ברוחב הפס ושיפור של 40% ביעילות האנרגטית לעומת הדור הקודם.
זיכרונות HBM (ר”ת High Bandwidth Memory) הם זיכרונות בעלי ביצועים גבוהים במיוחד בהשוואה לזיכרונות DRAM סטנדרטיים הנמצאים כיום בשימוש נרחב בתחום פתרונות ה-AI, כאשר זיכרון ה-HBM4 מגיע למעשה כדור השישי של הטכנולוגיה שכללה את ה-HBM המקורי, HBM2, HBM2E, HBM3 ו-HBM3E.
ביצועים וחידושים טכניים
זיכרון ה-HBM4 החדש נועד לתת מענה לעידן ה-AI הנוכחי, כאשר החברה הצליחה להכפיל את רוחב הפס של הזיכרון עם שימוש ב-2,048 חיבורי קלט-פלט (I/O) – פי שניים מהדור הקודם – לצד שיפור של יותר מ-40% ביעילות האנרגטית של הזיכרון.
SK Hynix מעריכה כי שימוש בזיכרון החדש יוכל לשפר את ביצועי שירותי ה-AI בעד 69%, מה שיוביל לפתרון צווארי בקבוק בנתונים ולהפחתה משמעותית בעלויות החשמל של מרכזי נתונים.
החברה שיפרה באופן ניכר את הגדרות תקן ה-HBM4 של ארגון ה-JEDEC עם מהירות העברת מידע של 10Gbps בהשוואה ל-8Gbps של התקן.
טכנולוגיית ייצור מתקדמת
זיכרון ה-HBM4 החדש של SK Hynix מגיע בייצור 1bnm – הדור החמישי של טכנולוגיית 10 הננומטרים – לצד שימוש בתהליך ה-MR-MUF (ר”ת Mass Reflow Molded Underfill) הכולל הערמת שבבים מוליכים למחצה והזרקת חומרי הגנה נוזליים ביניהם להגנה על המעגלים, והתקשותם.
תהליך זה הוכח כיעיל יותר לפיזור חום בהשוואה לשיטה של הנחת “חומרי סרט” (film-type) עבור כל ערימת שבבים.
SK Hynix צפויה להתחיל בייצור המוני של זיכרון HBM4 בהתאם לדרישת לקוחות החברה.
