יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על פיתוח זכרונות UFS 4.1 חדשים המבוססים על טכנולוגיית NAND בעלת 321 שכבות – הגבוהה בעולם כיום.
הזכרונות החדשים מותאמים במיוחד לעבודה עם יישומי בינה מלאכותית במכשירים ניידים ומציעים שיפורים משמעותיים ביעילות האנרגטית לצד מהירות העברת מידע גבוהה של עד 4,300MB/s.
אחרי שהכריזה על תחילת ייצור המוני של שבבי 4D NAND בעלי 321 שכבות בסוף 2024, החברה מציגה את זכרונות ה-UFS 4.1 החדשים המתבססים על שבבי ה-NAND החדשים עם 321 שכבות בניגוד ל-238 שכבות בדור הקודם.
לפי החברה, הזכרונות החדשים מציגים שיפור של 7% ביעילות אנרגטית לעומת הדור הקודם, לצד הקטנה של 15% בעובי – מ-1 מ”מ ל-0.85 מ”מ.
השיפור בעובי מאפשר שילוב הזכרונות בסמארטפונים דקים במיוחד. מבחינת הביצועים, הזיכרון יתמוך במהירות העברת נתונים של עד 4,300MB/s בקריאה רציפה עם שיפורים של 15% ו-40% בקריאה וכתיבה הרנדומלית בהשוואה לדור הקודם.
חידושים בתקן UFS 4.1
בעוד שזכרונות UFS 4.1 לא צפויים להביא לשיפור במהירות התיאורטית בהשוואה ל-UFS 4.0, מהירות העומדת על עד כ~4.2GB/s, תקן ה-UFS 4.1 מביא איתו מספר שיפורים:
- איחוד קבצים על ידי מערכת ההפעלה – במקום שבקר הזיכרון ינהל לבדו את תהליך איחוד הקבצים, כעת מערכת ההפעלה יכולה ליטול יוזמה ולשפר את היעילות.
- התאמה דינמית של גודל המטמון – המטמון יכול כעת להתאים את עצמו באופן דינמי בהתאם לשימוש. במשחקים הוא יגדל לביצועים טובים יותר, ובצפייה בסרטונים קצרים יקטן לחיסכון בחשמל.
- התאוששות מהירה יותר משגיאות – במקרה של בעיה בזיכרון הפלאש, המערכת יכולה לתקן אותה מהר יותר ולהפחית את הסיכון לקריסות.
- תמיכה בזיכרון QLC – מאפשר קיבולת אחסון גבוהה יותר, אך במחיר של חיי שירות קצרים יותר.
חברת SK hynix צפויה להתחיל במשלוח כמותי של זכרונות ה-UFS 4.1 ללקוחותיה במהלך הרבעון הראשון של 2026.
