אינטל (Intel) הכריזה רשמית כי טכנולוגיית ייצור ה-Intel 18A מעידן אנגסטרום (Å, עשירית הננו-מטר) החדש של החברה מוכנה לשימוש.
הטכנולוגיה מציעה שיפור ביצועים של עד 15% בהשוואה לדור הקודם, לצד שיפורים נוספים, ותאפשר לאינטל להתחרות בצורה טובה יותר בסמסונג ו-TSMC בתחום ייצור השבבים המתקדמים.
ההכרזה על מוכנות החברה להתחיל ולייצר שבבים בטכנולוגיית ה-Intel 18A מגיעה כשנתיים לאחר ההכרזה שלה על סיום פיתוח הטכנולוגיה, דבר המגיע בזמן קריטי למדי בעבור החברה עצמה ובית היציקה שלה, ה-IFS (ר”ת Intel Foundry Services), כאשר מדובר על טכנולוגיית ייצור המקבילה יחסית ל-N2 של TSMC.
ייצור ה-Intel 18A של אינטל משלב בתוכו שתי טכנולוגיות ייחודיות, המציעות לדברי החברה שיפור של עד 15% בביצועים לוואט וצפיפות שבב גדולה יותר ב-30% בהשוואה לייצור ה-Intel 3 הקודם של החברה:
- ארכיטקטורת הטרנזיסטורים RibbonFET החדשה של אינטל מסוג gate-all-around, המשנה את מצב ה”שער” (Gate) בטרנזיסטור המציין אם הוא כבוי או דלוק, עיצוב משופר המונע “דליפות חשמל” בשבב, עם האפשרות ליצור טרנזיסטורים קטנים ומהירים יותר.
- טכנולוגיית PowerVia מאפשרת לייצר שבבים “משני הכיוונים” ולהפריד בין חיבורי העברת המידע בין השכבות השונות (interconect) ובין חיבורי העברת המתח שעוברים לצד “האחורי” של השבבים, דבר שמפנה מקום בשבב, מפשט ומייעל את התהליך ומאפשר ליצור שבבים מהירים וחסכוניים יותר.
אינטל צופה את תחילת הייצור ההמוני וביצוע *Tape Out על ידי לקוח חיצוני ראשון במחצית הראשונה של 2025. לאינטל יש את היתרון להיות החברה הראשונה בצפון אמריקה המציעה ייצור תת-2nm מתקדם.
*Tape Out – מונח בתעשיית השבבים המתאר את השלב הסופי בתהליך התכנון של השבב, בו הוא מועבר ליצרן לייצור בפועל.
