ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הכריזה על פיתוח שבבי זיכרון GDDR6W, הדור הבא של שבבי ה-GDDR6 שמכפיל את הנפח והביצועים על ידי שימוש בטכנולוגיית “אריזה” (Packaging) חדשה.
טכנולוגיה זו מאפשרת להערים שכבת שבבי DRAM נוספת כדי לקבל שבב דק יותר בעד בעד 36%, עם מהירות העברת נתונים הקרובה לזו של טכנולוגיית ה-HBM2E המגיע ל-1.4TB/s.
מה מוסיפה ה-W ל-GDDR6?
סמסונג נחשבת לאחת מהיצרניות הגדולות בתחום שבבי זיכרון ה-DRAM, בהם גם שבבי GDDR6, כאשר רק לאחרונה הציגה החברה את שבבי הזיכרון GDDR6 24Gbps.
עם זאת ,טכנולוגיית ה-GDDR6 הקיימת לא יכולה להתחרות בצורה ישירה בטכנולוגיית ה-HBM2E (ר”ת High Bandwidth Memory-2), לפחות לא עד הצגת שבבי ה-GDDR6W החדשים.
השינוי הגדול ב-GDDR6W מגיע בזכות טכנולוגיית האריזה FOWLP (ר”ת Fan-Out Wafer-Level Packaging) של סמסונג.
בניגוד לשבבי DDR רגילים המותקנים על מעגל מודפס PCB (ר”ת Printed Circuit Board) סטנדרטי, שבבי ה-DRAM ב-GDDR6W מותקנים על שכבת סיליקון עם טכנולוגיית RDL (ר”ת Re-distribution layer) לחיווט בין שכבות, מה שמאפשר לא רק לדחוס כמות הגדולה פי 2 של שבבי DRAM באותו השטח, אלא גם להוריד את העובי מ-1.1 מ”מ ב-GDDR6 ל-0.7 מ”מ ב-GDDR6W, שיפור של 36%.
בצורה הפשוטה ביותר, ה-GDDR6W הוא בעצם שני שבבי GDDR6 שאוחדו לשבב אחד, מה שמכפיל את נפח האחסון שלהם מ-16Gb ל-32Gb ומקרב את הביצועים של השבב החדש ל-HBM2E עם רוחב פס כללי של 1.4TB/s (לעומת 1.6TB/s) בזכות מהירות העברת מידע בפין חיבור בודד גבוהה יותר של 22Gbps לעומת 3.2Gpbs, כאשר ל-HBM2E יש פי 8 חיבורי I/O לעומת GDDR6W, עם 4096 חיבורים לעומת 512.
טכנולוגיית ה-GDDR6W החדשה של סמסונג עברה סטנדרטיזציה על ידי ארגון JEDEC במהלך הרבעון השני של 2022, כאשר החברה צופה לשלב את הטכנולוגיה החדשה בפתרונות שונים בהם ניידים, מחשבי HPC ופתרונות AI שונים.
