יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על ייצור דור שבבי זיכרון LPDDR5X חדש, המיוצר בטכנולוגיית ה-10nm מהדור הרביעי (1anm) של החברה ומשלב לראשונה בעולם את טכנולוגיית ה-HKMG (ר”ת High-K Metal Gate), כשהשבבים החדשים מגיעים עם צריכה חשמלית נמוכה יותר ומהירות של עד 8.5Gbps.
זכרונות LPDDR5X (או Low Power Double Data Rate 5X) הם גרסה בעלת צריכה נמוכה של שבבי DDR רגילים המיועדים למחשבים ניידים, סלולר ועוד, כאשר במקרה של שבב הזיכרון החדש נעשה שימוש במתח נמוך במיוחד של 1.01 עד 1.12 וולט בלבד עם צריכה חשמלית הנמוכה ב-25% לעומת הדור הקודם.
מלבד הצריכה החשמלית הנמוכה, שבב הזיכרון החדש מגיע במהירות של עד 8.5Gbps, בדומה לשבב המקביל מבית סמסונג, מהירות הגבוהה ב-33% לעומת הדגם הקודם של החברה שהגיע במהירות של 6.4Gbps.
השיפור האמיתי של SK Hynix בזיכרון החדש הוא שילוב טכנולוגיית ה-HKMG עם ייצור ה-1anm של החברה.
בצורה הפשוטה ביותר, טכנולוגיית ה-HKMG נחשבת לאחת מפריצות הדרך בייצור שבבי CMOS מסוגים שונים, כשהיא משלבת חומר דיאלקטרי בעל ערך K גבוהה (מכאן גם שמו), המציין בידוד טוב יותר המונע “זליגה” בשער הזיכרון בשבב, זליגה שהייתה פוגעת בביצועי השבב במידה ולא היה מבודד כראוי.
בעוד שהחברה לא ציינה מתי נוכל לראות את שבב ה-LPDDR5X החדש שלה במכשירים השונים, סביר להניח כי נוכל למצוא אותם בדור הבא של המחשבים, מכשירי סלולר ועוד, וזאת בזכות הפיצ’ר החשוב מכולם בדמות צריכה חשמלית נמוכה יותר, פיצ’ר קריטי למכשירים מבוססי סוללה.
