אינטל (Intel) הציגה במהלך כנס ה-IEDM 2021 (ר”ת IEEE International Electron Devices Meeting) את מגוון הטכנולוגיות אותן היא מפתחת על מנת לנצח את “חוק מור”, בהן Foveros Direct, גרסה משופרת לטכנולוגיית ה-EMIB, טכנולוגיית ה-post-FinFET, ולבסוף, מעבר לייצור ממוזער ברמת האנגסטרום (Å), עשירית הננו-מטר, על מנת לדחוס 30% עד 50% יותר טרנזיסטורים בשטח נתון.
“חוק מור”, שנוסח ב-1965 על ידי אחד ממייסדי חברת אינטל, גורדון מור, נחשב לאחד הרעיונות המוכרים ביותר בעולם המחשוב, הסובר כי מספר הטרנזיסטורים במעבדים יוכפל כל שנתיים בערך, דבר אותו היה ניתן לראות בשנים האחרונות עם מזעור טכנולוגיית הייצור והגדלת כמות הטרנזיסטורים.
עם זאת, יכולת המזעור של השבבים החלה להאט בשנים האחרונות, דבר שגרם לחברות לפנות לפתרונות אחרים להגדלת ביצועי המעבדים, בהם הגדלת כמות הליבות ושימוש בטכנולוגיית ה”אריזה” (packaging) של השבבים בצורה טובה יותר.
כאן נכנסות לשימוש טכנולוגיות חדשות עליהן עובדת החברה, בהן:
- Foveros Direct – הדור הרביעי של טכנולוגיית ה-Foveros, שנועדה להחליף את טכנולוגיית ה-Foveros Omni ו-Foveros 3D, עם “מגעים” (bump pitches) בגודל של פחות מ-10μm, מה שמאפשר להגדיל את כמות “המגעים” בשבבים.
- טכנולוגיית EMIB משופרת – ה-EMIB או Embedded Multi-Die Interconnect Bridge מאפשרת לשלב מספר שבבים אחד על גבי השני.
- post-FinFET – הדור הבא של טכנולוגיית ה”שער” (Gate) בטרנזיסטור שתחליף את ה-RibbonFET.
- מעבר לייצור ברמת אנגסטרום (Å), עשירית הננו-מטר.
השילוב של הטכנולוגיות הללו יאפשר לאינטל לשפר את נצילות השטח בשבבים ב-30% עד 50% לעומת דור הטכנולוגיה הקיים ודרך כך לתת מענה למגבלת “חוק מור” בכל הנושא מזעור הטרנזיסטורים על ידי שיפור הנצילות שלהם.
