יצרנית שבבי הזיכרון SK Hynix הכריזה על תחילת ייצור המוני של שבבי זיכרון DRAM בייצור 1a, הדור הרביעי של ייצור ה-10nm בו משתמשת החברה, המשלב בייצור את טכנולוגיית ה-EUV (ר”ת Extreme ultraviolet lithography) המאפשרת שיפורים רבים לעומת הדור הקודם, בהם יכולת להגדיל את התפוקה של השבבים ב-25%, דבר קריטי במצב הנוכחי של שוק השבבים העולמי.
שבב ה-DRAM הראשון שישתמש בייצור ה-10nm החדש של SK hynix מהדור הרביעי (1a) יהיה זיכרון LPDDR4 בנפח 8Gb שיציע את המהירות הגבוהה ביותר לזיכרון LPDDR4 של 4266Mbps, תוך שהוא שומר על צריכה חשמלית הנמוכה ב-20% לעומת הדור השלישי (1z). החברה צפויה להשתמש בטכנולוגיה החדשה בייצור זכרונות ה-DDR5 כבר בתחילת 2022.
>> הצטרפו לערוץ הטלגרם של גאדג'טי
עם זאת, היתרון הגדול במעבר לייצור ה-1a החדש הוא הגברת יכולת ייצור שבבי ה-DRAM עצמם, כאשר לפי החברה מדובר על יכולת לייצר בתפוקה הגבוהה ב-25% מאותה פרוסת סיליקון (וייפר), דבר שצפוי לעזור להקל על משבר ייצור השבבים הנוכחי ממנו סובלת התעשייה העולמית, לפחות בתחום ה-DRAM.
תחום הייצור של זכרונות ה-DRAM שונה מעט מייצור השבבים הרגילים. בעוד שזכרונות ה-DRAM ממשיכים להיות מיוצרים בייצור 10nm, טכנולוגיית הייצור עצמה משופרת עם “תתי-דורות”, בהם הדור הראשון (1x), הדור השני (1y), הדור השלישי (1z) ועכשיו הדור הרביעי (1a) שמציג את השיפור הגדול ביותר עם תוספת טכנולוגיית ה-EUV.
