ענקית האלקטרוניקה טושיבה (Toshiba) הכריזה על שבבי זיכרון חדשים בשם XL-FLASH, שבבי 3D NAND SLC מסוג חדש עם זמני שיהוי (latency) נמוכים במיוחד של 5µs (מיקרו-שניה) בהשוואה לכ~50µs בזכרונות 3D NAND TLC קיימים.
שבב הזיכרון החדש של טושיבה נועד להיכנס לתחום שבין שבבי ה-NAND הרגילים אותם ניתן למצוא כיום בכונני SSD ובין שבבי ה-DRAM אותם ניתן למצוא בזכרונות המחשב, כאשר טושיבה קוראת לסוג הזיכרון החדש SCM (ר”ת Storage Class Memory) אשר עימו היא מנסה להתחרות בטכנולוגיית ה-Z-NAND של סמסונג.
שבבי ה-XL-FLASH הראשונים יגיעו בנפח של 128Gb לליבה עם פיצול ל-16 מישורים על מנת להגיע לדרגה גבוהה יותר של הקבלה (parallelism) בהשוואה לזכרונות 3D NAND רגילים, כאשר כל תא בזיכרון יוכל להכיל ביט אחד בלבד בהשוואה ל-3 או 4 בשבבי ה-NAND הרגילים.
שבבי ה-XL-FLASH החדשים של טושיבה נועדו למלא את המקום של זכרונות ה-Z-NAND של סמסונג ואף 3D XPoint של מיקרון ואינטל, כאשר ההבדל הגדול והקריטי ביותר בין הטכנולוגיות מגיע בשיווק שלו. בעוד שסמסונג ואינטל משתמשות בטכנולוגיה שלהן רק במוצרי החברה, טושיבה מתכננת להציע את הטכנולוגיה ליצרנים מרובים שכבר מגלים עניין במוצר החדש.
