חברת סמסונג (Samsung), אחת מיצרניות השבבים הגדולות בעולם, הכריזה על תחילת ייצור המוני של שבבי זיכרון מסוג LPDDR4X בנפח 16Gb שייוצרו בטכנולוגיית 10nm מהדור השני של החברה עם יעילות גבוהה יותר וצריכה חשמלית נמוכה יותר בהשוואה לדור הקודם של ה-LPDDR4X.
בעוד שסמסונג הכריזה כבר על פיתוח שבבי הדור הבא עם ה-LPDDR5, החברה לא זונחת את שבבי ה-LPDDR4X הנמצאים עדיין בשימוש בתעשייה. שבב ה-LPDDR4X החדש יציע צמצום של עד 10% בצריכת החשמל תוך שמירה על מהירות של 4266Mb/s.
סמסונג הצליחה ליצור חבילת DRAM בנפח 8GB על ידי שילוב של 4 שבבי 16Gb LPDDR4X מהדור החדש ולהציע מהירות של עד 34.1GB/s בעובי הנמוך מ-20% לעומת הדור הראשון של שבבי ה-LPDDR4X של החברה, מה שמאפשר ליצרני המכשירים הניידים השונים לייצר מכשירים בעובי דק יותר באמצעות השבב החדש.
יחד עם ההכרזה על ייצור שבב ה-LPDDR4X החדש סמסונג החלה להפעיל מפעל ייצור חדש ב-Pyeongtaek אשר בדרום קוריאה על מנת להבטיח אספקה שוטפת של זכרונות DRAM לאור הדרישה הגדלה שלהם בשוק העולמי.
שבבי ה-LPDDR4X החדשים של סמסונג לא מהווים שדרוג טכנולוגי גדול לעומת שבבי ה-LPDDR5 עליהם היא הכריזה לאחרונה, אך עדיין מהווים שדרוג משמעותי לתחום הסלולר לא רק על ידי הקטנת נפח חבילת ה-DRAM שתאפשר בניית מכשירים דקים יותר, אלא בחיסכון של כ-10% בצריכת החשמל המהווה הבדל גדול במכשירים המבוססים על סוללות.
