הוכרז: Samsung Z-SSD SZ985 – כונן מהיר במיוחד בתצורת M.2

סמסונג הציגה במהלך כנס OCP (ר”ת Open Compute Project) שנערך בסן חוזה ארה”ב, גרסת M.2 לכונן Z-SSD SZ985 של החברה המבוסס על טכנולוגיית Z-NAND ומיועד להוות תחרות לכונני ה-3D XPoint של אינטל.

כונן ה-SZ985 של סמסונג הוצג לראשונה בתחילת 2018 בתצורת PCIe מתבסס על זכרונות ה-Z-NAND של סמסונג המבוססים על זיכרון SLC (ר”ת Single Level Cell) “חד שלבי” ישן יותר, לעומת זיכרון ה-MLC ה”רב שלבי” או ה-TLC ה”תלת שלבי” בהם משתמשים כונני SSD כיום.

כונן ה-SZ985 החדש של סמסונג יאפשר לה להרחיב את מגוון פתרונות האחסון שלה המתבססים על טכנולוגיית ה-Z-NAND אך באופן תמוה, למרות שסמסונג מצהירה דגם הכונן החדש כ-SZ985 על המדבקה של הכונן מופיע מספר הדגם SZ983:

כונן SZ985 M.2 של סמסונג (מקור anandtech)
כונן SZ985 M.2 של סמסונג (מקור anandtech)

הכונן החדש של סמסונג יגיע בתצורת M.2 22110 באורך 110 מ”מ עם בקר זיכרון Phoenix בעל 8 ערוצים ובנפח של 240GB או 480GB שיציע מהירות קריאה של 3200MB/s וכתיבה של 2800MB/s ושרידות כתיבה של 30 DWPD (ר”ת drive writes per day).

למרות שלא הוצג המפרט המלא של הכונן החדש אפשר לראות כי המעבר מחיבור PCIe ל-M.2 הוריד את מהירות הכתיבה והקריאה יחסית ל-SZ985 הרגיל.

כונן SZ985 M.2 של סמסונג (מקור anandtech)
כונן SZ985 M.2 של סמסונג (מקור anandtech)

בעוד הכונן החדש מיועד לתעשייה בלבד בשלב זה, ניתן לצפות כי בדומה לטכנולוגיית ה-3D XPoint שאפשר למצוא בכונני ה-Optane של אינטל גם טכנולוגיית ה-Z-NAND של כונני ה-Z-SSD יגיע בשלב מאוחר יותר לשוק הפרטי.

השוואת מפרטים