ענקית המוליכים למחצה סמסונג (Samsung) הודיעה באופן רשמי כי טכנולוגיית היצור שלה ב-8nm FinFET עברה את האישורים הדרושים ומוכנה לייצור, ועל ידי כך עקפה את כל המתחרות של החברה בתחום ייצור השבבים.
אחרי השקת דור 2 של הייצור ב-10nm באפריל השנה, סמסונג מבצעת קפיצה טכנולוגית נוספת ועוברת לייצור ב-8nm בטכנולוגיית LPP (ר”ת Low Power Plus) שמספקת עד 10% חסכון באנרגיה ועד 10% פחות גודל בהשוואה לטכנולוגיית ה-10LPP הקודמת, כאשר לפי ראיין לי (Ryan Lee), סמנכ”ל חטיבת בית היציקה (Foundry) מדובר על הקדמה של שלושה חודשים בלוח הזמנים של החברה.
בעוד שחברת TSMC הכריזה לא מכבר על בניית מפעל היצור בטכנולוגיית 3nm שיהיה מוכן רק בשנת 2020, ביצרנית הטיוואנית עדיין מייצרים שבבים ב-10nm ואילו GlobalFoundries עוברת לייצור ב-12nm12LP עם שבבי AMD, סמסונג עוקפת כרגע בתהליכי יצור את המתחרים עם השקת ה-8LPP.
כיום השלב הגדול הבא של כל החברות היא הקפיצה לייצור בטכנולוגיית 7nm עם שימוש בטכנולוגיית יצור מתקדמת מסוג EUV (ר”ת extreme ultraviolet), מה שלא הפריע סמסונג לבצע שיפור ביניים לטכנולוגיית ה-10nm שלה עם המעבר ל-8nm בדיוק כפי שהייצור של GlobalFoundries ב-12nm הוא שיפור של ה-14nm.
כמו בכל קפיצה טכנולוגית מדובר בשיפור בביצועים ובצריכת החשמל של השבבים, מה שיאפשר לנו המשתמשים להנות ממכשירים מהירים יותר ובעלי אורך חיים גבוה יותר. עם ההכרזה הזאת יהיה ניתן לצפות כי מכשיר הגלקסי S9 עם שבב הסנאפדרגון 845 שיוכרז ב-2018 ייוצר בטכנולוגיית ה-8LPP החדשה, וכך ככל הנראה יהיה גם לגבי שבבי האקסינוס העצמאיים של סמסונג.
