במהלך חודש נובמבר האחרון חשפה יצרנית השבבים האמריקאית, קוואלקום, את פלטפורמת העיבוד החזקה והמתקדמת ביותר פרי ייצורה, היא Snapdragon 835. אף שזו הוצגה באופן רשמי על ידי החברה, ההכרזה הרשמית עליה, בה ייחשף מפרטה הטכני באופן מלא, תתבצע במסגרת תערוכת CES 2017 בעוד מספר ימים. וכעת, רגע לפני החשיפה הרשמית, חושפת הדלפה חדשה את כל הפרטים אודות שבב העיבוד העוצמתי שצפוי להסתער בקרוב על שוק המוביל.
על פי המידע שנמסר בהדלפה ונראה כי הגיע מתוך מצגת רשמית של היצרנית, תציע מערכת השבבים 8 ליבות עיבוד חדשות מדגם Kryo 280 (בניגוד ל-Kryo 100 ב-SD820/821) בתצורת big.LITTLE. מתוך אלו נמצא 4 ליבות בתדר מירבי של 2.45GHz עבור הביצועים האינטנסיביים ביותר של המשתמש, בעוד עבור ביצועיי היום-יום יבוצע שימוש ב-4 הליבות הנותרות שיכוונו לתדר מקסימלי על סך 1.9GHz. אלו, כך נראה, יספקו שיפור של 20% בביצועים בהשוואה לדור הקודם ובמגוון היבטים, בהם: גלישה באינטרנט, צפייה בתכני מציאות מדומה (VR), טעינת אפליקציות ועוד.
עבור ביצועי הגרפיקה משלבת פלטפורמת העיבוד מאיץ גרפי (GPU) מדגם Adreno 540, ולצידו נמצא שבב עיבוד נתונים מסוג Hexagon 690 ומודם LTE התומך בקטגוריה 16 (LTE CAT.16). בכל הנוגע לשימוש בסוללה, מעידה ההדלפה כי השבב החדש, שייוצר בהליך 10nm FinFET חדשני, יהיה חסכוני ב-50% בהשוואה למערכת השבבים הוותיק Snapdragon 801.
חשיפת השבב הרשמית יחד עם כל הפרטים החסרים שישלימו לנו את הפאזל תתבצע במסגרת תערוכת CES 2017.
