בעוד מספר חודשים בודדים, בין פברואר לאפריל 2017, תכריז סמסונג על סדרת מכשירי הדגל גלקסי S8, שתכיל שני דגמים: Galaxy S8 ו-Galaxy S8 Plus. כעת, זמן לא רב לפני ההכרזה וכשחרושת השמועות שסובבת את השניים רק הולכת וגדלה, מוצאים דרכם אל הרשת פרטים ראשונים אודות מערכת השבבים שתפעם מתחת למכסה המנוע שלה, Samsung Exynos Octa 8895 (או: Exynos 8895).
הפרטים החדשים אודות השבב מגיעים ישירות מסין וחושפים כי זה יוצע ב-3 גרסאות שונות: Exynos 8895M, Exynos 8895V וגרסה נוספת ששמה אינו ידוע בשלב זה. כל אלו ייוצרו בהליך FinFET 10nm חדשני ויציעו מערך big.LITTLE עבור ליבות העיבוד שלהן. מערך זה יכיל 4 ליבות מסוג M2 (הדור הבא לסדרת הליבות בפיתוח סמסונג Mongoose) בתדר מקסימלי של 2.5 או 2.3 גיגה-הרץ לדגם ה-אקסינוס 8895M ו-8895V, בהתאמה, ו-4 ליבות נוספות מדגם Cortex-A53 בתדר מירבי של 1.7GHz.
הבדל נוסף בין שני הדגמים הללו יתבטא במאיץ הגרפי שלהם, בשניהם צפוי שזה יהיה ה-Mali-G71 מבית ARM, אלא שב-8895M יציע המאיץ 20 ליבות, בעוד דגם ה-8895V יציע 18 ליבות “בלבד”. שאר המפרט של השניים כולל תמיכה באחסון UFS 2.1, מודם LTE מקטגוריה 16 (LTE Cat.16).
בעוד שבבי ה-Exynos 8895M ו-V יהפכו רשמיים ככל הנראה מעט לפני השקת סדרת גלקסי S8, הוריאציה השלישית של מערכת השבבים, אשר שמה אינו ברור כפי שכבר ציינו, תוכרז רק במהלך הרבעון השלישי של 2017 והיא תביא עימה מודם חדש עם תמיכה ב-CDMA ויכולות נוספות שאינן ידועות בשלב זה. בהתחשב במועד ההכרזה המשוער, ייתכן מאוד כי הגרסה השלישית לשבב מיועדת לתפקד כליבו של המכשיר הבא לסדרת נוט, Galaxy Note 8.
