היצרנית הקוריאנית סמסונג מכריזה על שבב זיכרון חדש בנפח 1.5 גיגה-בייט. השבב מבוסס על טכנולוגיית LPDDR4 ונעזר בתהליך הייצור העדכני בגודל 20 ננומטר.
השבב החדש מגיע כמענה לדרישה המתמדת לכמויות זיכרון גדולות יותר ויותר. ניתן להיעזר בשני שבבים בלבד על מנת ליצור כמות זיכרון מכובדת של שלושה גיגה-בייט של RAM – כמות זהה דרשה הטמעה של שלושה שבבים בדור הקודם, תוך שימוש בשטח פיזי רב יותר והגברת צריכת החשמל.
לטענת סמסונג, ניתן בקלות ליצור מכשירים בעלי שלושה או שישה גיגה-בייט של זיכרון פעולה תוך שימוש במעטפת בודדת המכילה שניים או ארבעה שבבים בהתאמה. הכמות המקסימלית כיום עומדת על ארבעה גיגה-בייט של RAM, כך שהשבב החדש יאפשר לספינות הדגלים הבאות להציע ריבוי משימות משופר ותמיכה באפליקציות כבדות יותר.
תהליך הייצור החדשני מאפשר לשבב להציע ביצועים הגבוהים ב-30 אחוז משל קודמו ולספק מהירות גישה העומדת על 4,266 מגה-ביט לשנייה, זאת תוך שימוש ב-20 אחוז פחות חשמל. השבב החדש מציע גם תפוקת ייצור גבוהה ב-50 אחוז, מה שיאפשר לסמסונג להוזיל את מחירו ובכך להוזיל גם את מחירי הסמארטפונים שיעשו בו שימוש.
השבב החדש זמין כבר עכשיו לשימוש בידי היצרניות השונות, וככל הנראה יפרוץ אל השוק כשישולב במכשירי הדגל של שנת 2016.
